特許

J-GLOBAL ID：200903004697240935

積層チップ部品の製造方法

発明者： 杉山 雄二 ,  川口 正彦
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-347056
公開番号（公開出願番号）：特開2004-179585
出願日： 2002年11月29日
公開日（公表日）： 2004年06月24日
要約：

【課題】絶縁体基板上に絶縁体層および導体層が逐次形成される積層チップ部品の製造方法において、前記絶縁体層および導体層がその主面方向の所定の位置に精度よく形成される方法を提供すること。【解決手段】絶縁体基板上または前記絶縁体基板上に形成された絶縁体層上に、前記絶縁体基板に最も近い導体層(第一導体層)と、前記第一導体層と同一の材料よりなる位置合わせマークが同時に形成される工程と、前記第一導体層上に、絶縁体層および導体層より構成される複数の層が逐次形成される工程を有する積層チップ部品の製造方法であって、前記位置合わせマークは、その周囲の全部または一部が前記第一導体層を構成する一部分に囲まれるように配置されるとともに、前記第一導体層上に逐次形成される絶縁体層および導体層の全てが、前記位置合わせマークを基準として決められる位置に形成されることを特徴とする。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

絶縁体基板上または前記絶縁体基板上に形成された絶縁体層上に、前記絶縁体基板に最も近い導体層(以下第一導体層とする)と、前記第一導体層と同一の材料よりなる位置合わせマークが同時に形成される工程と、前記第一導体層上に、絶縁体層および導体層より構成される複数の層が逐次形成される工程を有する積層チップ部品の製造方法であって、前記位置合わせマークは、その周囲の全部または一部が前記第一導体層を構成する一部分に囲まれるように配置されるとともに、前記第一導体層上に逐次形成される絶縁体層および導体層の全てが、前記位置合わせマークを基準として決められる位置に形成されることを特徴とする、積層チップ部品の製造方法。

IPC (3件)：

H01F17/00 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

FI (4件)：

H01F17/00 D ,  H01G4/12 361 ,  H01G4/12 364 ,  H01G4/30 311Z

Fターム (30件)：

5E001AB03 ,  5E001AC09 ,  5E001AF06 ,  5E001AH03 ,  5E001AH07 ,  5E001AH08 ,  5E001AH09 ,  5E001AJ01 ,  5E001AJ02 ,  5E001AJ03 ,  5E070AA01 ,  5E070AB01 ,  5E070BA01 ,  5E070CB03 ,  5E070CB13 ,  5E082AB03 ,  5E082BC32 ,  5E082EE05 ,  5E082EE37 ,  5E082EE39 ,  5E082FG06 ,  5E082FG26 ,  5E082FG54 ,  5E082GG10 ,  5E082JJ03 ,  5E082LL01 ,  5E082LL02 ,  5E082MM22 ,  5E082MM24 ,  5E082PP07

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 電子部品の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-046620   出願人：株式会社村田製作所
• セラミック積層体の切断位置決定方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-188152   出願人：太陽誘電株式会社
• 特開昭49-086862