特許
J-GLOBAL ID：200903004700291155
多階調フォトマスクの製造方法及びパターン転写方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
青木 宏義
, 天田 昌行
, 岡田 喜雅
, 菅野 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-076165
公開番号（公開出願番号）：特開2009-229893
出願日： 2008年03月24日
公開日（公表日）： 2009年10月08日
要約：
【課題】遮光膜の材料の選択に制約が少ない多階調フォトマスクの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】透明基板1上に遮光膜2と半透光膜4とを有する多階調フォトマスクの製造方法であって、半透光膜4の形状をリフトオフで形成することとして半透光膜4のエッチング工程を無くしたので、遮光膜2は半透光膜4のエッチングガスやエッチング液への耐性が必要なく、遮光膜2の材料の選択に制約が少ない多階調フォトマスクの製造方法を提供することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
透明基板上に形成された遮光膜及び半透光膜にそれぞれパターン加工を施すことにより、透光部、遮光部、及び露光光の一部を透過する半透光部を形成する多階調フォトマスクの製造方法において、
透明基板上に遮光膜が形成されたフォトマスクブランクを用意する工程と、
前記透光部に対応する前記遮光膜上の第1の領域に第1の膜厚を有し、前記遮光部に対応する前記遮光膜上の第2の領域に前記第1の膜厚より小さい第2の膜厚を有するようなレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
前記レジストパターンをマスクとして、前記第1及び第2の領域を除いた前記遮光膜をエッチングする第1のエッチング工程と、
前記第2の領域の前記レジストパターンを除去するレジスト除去工程と、
残存するレジストパターンを有する前記透明基板上に半透光膜を形成する工程と、
前記残存するレジストパターン及びその上に形成された前記半透光膜を除去して、半透光膜パターンを形成する工程と、
前記半透光膜パターンをマスクとして前記遮光膜をエッチングする第2のエッチング工程と、
を有する多階調フォトマスクの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
2H095BB01
, 2H095BB26
, 2H095BC04
, 2H095BC24
