特許
J-GLOBAL ID：200903046932323325
4枚のマスクを利用した液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法及び液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小野 由己男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-281409
公開番号（公開出願番号）：特開2000-111958
出願日： 1999年10月01日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：
【要約】【課題】4枚のマスクを利用して液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板を製造する新たな方法を提供する。【解決手段】まず、第1マスクを利用して絶縁基板上にゲート配線を形成し、第2マスクを利用してゲート配線及び基板上にゲート絶縁膜、半導体層、接触層及びデータ導体層を含む4重層を形成した後、データ導体層の上部及びデータ導体層で囲まれた領域に第3マスクを利用して導電パターンを形成する。さらに、導電パターンで覆われないデータ導体層をエッチングしてデータ配線を形成し、データ配線で覆われない接触層をエッチングし、第4マスクを利用して保護膜を形成し、保護膜で覆われない半導体層をエッチングする。
請求項（抜粋）：
第1写真エッチング工程を通して絶縁基板上にゲート配線を形成する段階と、第2写真エッチング工程を通して前記ゲート配線及び前記基板上にゲート絶縁膜、半導体層、接触層及びデータ導体層を含む4重層を形成する段階と、前記データ導体層上部及び前記データ導体層の間の領域に第3写真エッチング工程を通して導電パターンを形成する段階と、前記導電パターンで覆われない前記データ導体層をエッチングしてデータ配線を形成する段階と、前記データ配線で覆われない前記接触層をエッチングする段階と、前記導電パターン上に第4写真エッチング工程を通して保護膜パターンを形成する段階と、を含む液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。
IPC (4件)：
G02F 1/1365
, G09F 9/30 338
, H01L 29/786
, H01L 21/336
G02F 1/136 500
, G09F 9/30 338
, H01L 29/78 612 D
