特許
J-GLOBAL ID：200903004712166070

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

発明者：
田中 淳也

田中 淳也 について

, 
高橋 洋二

高橋 洋二 について


出願人/特許権者：
株式会社日立ハイテクノロジーズ

株式会社日立ハイテクノロジーズ について


代理人 (1件)： 特許業務法人 武和国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-073138
公開番号（公開出願番号）：特開2008-235579
出願日： 2007年03月20日
公開日（公表日）： 2008年10月02日
要約：
【課題】エッチング加工精度が向上され、異物及び汚染物質の更なる低減が得られるようにしたプラズマ処理装置を提供すること。【解決手段】真空容器101内にアンテナ102と電極103を配置し、これらに印加すべき高周波に例えば180°の位相差を与えるとともに、所定のデューティ比でオンオフするようにしたプラズマ処理装置において、位相コントローラ123を設け、オンオフの立ち上がりをフィードバック制御し、オンオフの位相ズレが生じないようにしたもの。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
真空容器内に配置され、その上面に処理対象のウェハが載せられる試料台と、この試料台内に配置され、高周波が供給される第1の電極と、前記真空容器内の前記試料台上方で前記ウェハに対向に配置され、高周波が供給される第2の電極と、前記試料台の周囲を囲んで配置され、接地された側壁とを備え、前記第1及び第2の電極間と前記側壁との間の空間にプラズマを形成するプラズマ処理装置であって、 前記第1の電極に高周波を供給する第1の電源と前記第2の電極に高周波を供給する第2の電源による夫々の高周波の位相を所定角度ずらす第1の信号と、前記夫々の高周波を変調させる第2の信号と、前記各々の高周波の変調出力の立ち上がりを同期させる第3の信号を発生する制御手段が設けられていることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/306 ,  H05H 1/46
FI (3件)：
H01L21/302 101D ,  H05H1/46 M ,  H01L21/302 101B
Fターム (4件)：
5F004BA04 ,  5F004BA09 ,  5F004CA03 ,  5F004CB05
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (8件)
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