特許
J-GLOBAL ID：200903054307139195

誘導結合されたプラズマを用いて基板をエッチングするための装置および方法

発明者：
フォルカー ベッカー

フォルカー ベッカー について

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フランツ レルマー

フランツ レルマー について

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アンドレア シルプ

アンドレア シルプ について


出願人/特許権者：
ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング

ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング について


代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-511711
公開番号（公開出願番号）：特表2003-505868
出願日： 2000年06月06日
公開日（公表日）： 2003年02月12日
要約：
【要約】誘導結合されるプラズマ(14)を用いて、基板(10)、殊にシリコン基板をエッチングするための方法およびこの方法を実施するのに適した装置が提案される。このために、ICP源(13)によって高周波の交番的な電磁界が発生され、これがリアクタ(15)において反応性粒子から誘導結合されたプラズマ(14)を発生する。その際誘導結合されたプラズマ(14)は高周波の交番的な電磁界を反応性ガスに作用させることによって生じる。更に、ICP源(13)によって誘導結合されたプラズマ(14)に高周波の交番的な電磁界を介して入力結合されたプラズマ電力をパルス化することができる装置が設けられているので、少なくとも一時的に、パルス化された高周波電力がプラズマ電力として誘導結合されたプラズマ(14)に入力結合することができる。パルス化されたプラズマ電力は更に、パルス化された磁界および/またはパルス化された基板電極電力と組み合わせるかまたは相関付けることができる。
請求項（抜粋）：
誘導結合されたプラズマ(14)を用いて基板(10)、例えばシリコン基体をエッチングするための装置であって、高周波の交番的な電磁場を生成するためのICP源(13)と、該高周波の交番的な電磁場を反応ガスに作用させることによって反応粒子から誘導結合されたプラズマ(14)を生成するためのリアクタ(15)を備えている形式のものにおいて、前記ICP源(13)によって、前記誘導結合されたプラズマ(14)に入力結合すべきプラズマ電力パルスを生成することができる第1の手段が設けられていることを特徴とする装置。
IPC (3件)：
H01L 21/3065 ,  H01J 37/32 ,  H05H 1/46
FI (3件)：
H01J 37/32 ,  H05H 1/46 L ,  H01L 21/302 B
Fターム (7件)：
5F004AA01 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB13 ,  5F004CA03 ,  5F004DA18 ,  5F004DA26
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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