特許
J-GLOBAL ID：200903015636330704

プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の制御方法

発明者：
西尾 良司

西尾 良司 について


出願人/特許権者：
株式会社日立ハイテクノロジーズ

株式会社日立ハイテクノロジーズ について


代理人 (1件)： 特許業務法人第一国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-341723
公開番号（公開出願番号）：特開2006-156530
出願日： 2004年11月26日
公開日（公表日）： 2006年06月15日
要約：
【課題】 プラズマ処理装置において、処理ごとに最適な真空容器内環境を提供する。【解決手段】 真空容器1と、第1の高周波電源4と、第2の高周波電源21と、第3の高周波電源25と、第1の高周波電源からの第1の高周波電圧および第3の高周波電源からの第3の高周波電圧が混合されて供給される真空容器内に設けた第1の電極2と、上面に試料12が載置され第2の高周波電源からの第2の高周波電圧が供給される真空容器内に設けた第2の電極14と、第2の高周波電圧と第3の高周波電圧の位相差を制御する位相制御装置26とを備えるプラズマ処理装置であって、第2の高周波電圧と第3の高周波電圧は同一の周波数であり、第1の電極の第3の高周波電圧の位相を検出する第1の位相検出手段32と、第2の電極の第2の高周波電圧の位相を検出する第2の位相検出手段31とを備え、第1の位相検出手段と第2の位相検出手段の出力に基づいて、第2の高周波電圧および第3の高周波電圧の位相差を制御する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
容器内にプラズマが生成される真空容器と、該真空容器外に設けた第1の高周波電源および第2の高周波電源ならびに第3の高周波電源と、第1の高周波電源からの第1の高周波電圧が供給される真空容器内または真空容器外に設けた第1の電極と、上面に試料が載置され第2の高周波電源からの第2の高周波電圧が供給される真空容器内に設けた第2の電極と、第2の高周波電圧と第3の高周波電源からの第3の高周波電圧の位相差を制御する位相制御装置とを備えるプラズマ処理装置であって、 前記第2の電極以外に真空容器内に生成されるプラズマと容量結合するRF放射部を構成し、前記第2の電極とRF放射部との間に同一周波数で位相信号以外の信号源を用いて前記第2の高周波電圧および第3の高周波電圧の位相差を制御することを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/306 ,  H05H 1/00 ,  H05H 1/46
FI (4件)：
H01L21/302 101B ,  H05H1/00 A ,  H05H1/46 L ,  H05H1/46 M
Fターム (11件)：
5F004AA15 ,  5F004BA09 ,  5F004BA14 ,  5F004BD01 ,  5F004BD04 ,  5F004BD05 ,  5F004CA03 ,  5F004CB02 ,  5F004CB06 ,  5F004DA00 ,  5F004DA26
引用特許：
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (10件)
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