特許

J-GLOBAL ID：200903004739021090

ZnO結晶の製造方法及びZnO系LEDの製造方法

発明者： 佐野 道宏 ,  加藤 裕幸 ,  宮本 和弘 ,  八百 隆文
出願人/特許権者： 八百 隆文
代理人 (2件)： 高橋 敬四郎 ,  来山 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-007390
公開番号（公開出願番号）：特開2004-221352
出願日： 2003年01月15日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：

【課題】良質の結晶性を有するZnO結晶を製造する。【解決手段】少なくとも亜鉛と酸素とを基板上で反応させ、基板上に酸化亜鉛系結晶を成長させる。酸化亜鉛系結晶の成長時に、水素を酸化亜鉛系結晶が成長する部分に供給する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

少なくとも亜鉛(Zn)と酸素(O)とを基板上で反応させ、該基板上に酸化亜鉛(ZnO)結晶を成長させるZnO結晶の製造方法であって、前記ZnO結晶の成長時に、水素を前記ZnO結晶が成長する部分に供給するZnO結晶の製造方法。

IPC (3件)：

H01L21/363 ,  H01L21/365 ,  H01L33/00

FI (3件)：

H01L21/363 ,  H01L21/365 ,  H01L33/00 D

Fターム (23件)：

5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA41 ,  5F041CA55 ,  5F041CA66 ,  5F041CA85 ,  5F041CA88 ,  5F045AA05 ,  5F045AB22 ,  5F045AD18 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045DP01 ,  5F103AA04 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103HH04 ,  5F103KK10 ,  5F103LL01 ,  5F103NN05 ,  5F103RR06

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 低抵抗p型単結晶酸化亜鉛およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-229504   出願人：科学技術振興事業団
• ZnO結晶、その成長方法および光半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-102973   出願人：スタンレー電気株式会社