特許

J-GLOBAL ID：200903043238836243

低抵抗p型単結晶酸化亜鉛およびその製造方法

発明者： 山本 哲也 ,  吉田 博 ,  八百 隆文
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 西 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-229504
公開番号（公開出願番号）：特開2001-048698
出願日： 1999年08月13日
公開日（公表日）： 2001年02月20日
要約：

【要約】【課題】 低抵抗p型単結晶酸化亜鉛を得る。【構成】 酸化亜鉛の単結晶を薄膜形成法で形成する際に、n型ドーパントおよびp型ドーパントを、p型ドーパント濃度がn型ドーパント濃度より大きくなるようにドーピングする。さらに、II族元素を同時ドーピングすることにより酸素の安定化ができる。

請求項（抜粋）：

p型ドーパントとn型ドーパントを含有している低抵抗p型単結晶酸化亜鉛。

IPC (3件)：

C30B 29/16 ,  C30B 25/02 ,  H01L 21/363

FI (3件)：

C30B 29/16 ,  C30B 25/02 Z ,  H01L 21/363

Fターム (22件)：

4G077AA03 ,  4G077BB07 ,  4G077DA05 ,  4G077DB08 ,  4G077EB01 ,  4G077EB02 ,  4G077EC10 ,  4G077ED06 ,  4G077EG16 ,  4G077FE11 ,  4G077FH01 ,  4G077HA06 ,  5F103AA04 ,  5F103BB04 ,  5F103DD30 ,  5F103JJ01 ,  5F103KK03 ,  5F103KK05 ,  5F103KK07 ,  5F103KK10 ,  5F103NN06 ,  5F103PP03

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特許第3540275号
  
• 特表平5-504988
  
• P型ドーパントを含有する酸化亜鉛膜およびその製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-564239   出願人：ザ・キュレーターズ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・ミズーリ

審査官引用 (3件)

• 特許第3540275号
  
• 特表平5-504988
  
• P型ドーパントを含有する酸化亜鉛膜およびその製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-564239   出願人：ザ・キュレーターズ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・ミズーリ

引用文献：

出願人引用 (3件)

• Solution using a codoping method to unipolarity for the fabrication of p-type ZnO
• Synthesis of p-type ZnO films
• p-Type electrical conduction in ZnO thin films by Ga and N codoping

審査官引用 (3件)

• Solution using a codoping method to unipolarity for the fabrication of p-type ZnO
• Synthesis of p-type ZnO films
• p-Type electrical conduction in ZnO thin films by Ga and N codoping