特許

J-GLOBAL ID：200903013278552985

ZnO結晶、その成長方法および光半導体装置

発明者： 佐野 道宏 ,  宮本 和弘 ,  五月女 博明
出願人/特許権者： スタンレー電気株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-102973
公開番号（公開出願番号）：特開2001-287998
出願日： 2000年04月05日
公開日（公表日）： 2001年10月16日
要約：

【要約】【課題】 欠陥の少ない良質なZnO層を提供する。【解決手段】 III族元素が適度にドーピングされ、室温において430nmから630nmの波長領域を含むブロードなPL発光スペクトルを有しない。

請求項（抜粋）：

III族元素が適度にドーピングされ、室温において430nmから630nmの波長領域を含むブロードなPL発光スペクトルを有しないZnO結晶。

IPC (4件)：

C30B 29/16 ,  C30B 23/08 ,  H01L 21/363 ,  H01L 33/00

FI (4件)：

C30B 29/16 ,  C30B 23/08 M ,  H01L 21/363 ,  H01L 33/00 D

Fターム (41件)：

4G077AA03 ,  4G077BE31 ,  4G077DA09 ,  4G077DA15 ,  4G077DA20 ,  4G077EB01 ,  4G077ED06 ,  4G077EE02 ,  4G077EF03 ,  4G077HA02 ,  4G077SC02 ,  4G077SC08 ,  4G077SC12 ,  5F041AA11 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA22 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA66 ,  5F041CA82 ,  5F041CA84 ,  5F041FF01 ,  5F103AA04 ,  5F103BB04 ,  5F103BB05 ,  5F103BB16 ,  5F103BB36 ,  5F103BB48 ,  5F103BB55 ,  5F103DD30 ,  5F103HH04 ,  5F103JJ01 ,  5F103JJ03 ,  5F103KK10 ,  5F103LL02 ,  5F103LL03 ,  5F103NN01 ,  5F103NN04 ,  5F103PP02

引用特許：

審査官引用 (1件)

• ZnO結晶の成長方法、ZnO結晶構造及びそれを用いた半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-245220   出願人：スタンレー電気株式会社, 八百隆文

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Transparent and conductive Ga-doped ZnO films grown by low pressure metal organic chemical vapor dep