特許
J-GLOBAL ID:200903004743619685
無電解めっき液、無電解めっき方法、回路基板の製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
横沢 志郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-317649
公開番号(公開出願番号):特開2003-129252
出願日: 2001年10月16日
公開日(公表日): 2003年05月08日
要約:
【要約】【課題】 ヒドラジン化合物などよりもさらに優れた還元剤を含む無電解めっき液、無電解金めっき方法、および回路基板の製造方法を提案すること。【解決手段】 回路基板10を製造するには、銅箔で形成された配線パターン2の表面に酸性脱脂工程ST11、ソフトエッチング工程ST12、パラジウム活性工程ST13を行った後、無電解ニッケルめっき工程ST14で配線パターン2の表面にニッケルめっき層3を形成する。次に、置換型無電解金めっき工程ST15で薄い金めっき層を形成した後、自己触媒型無電解めっき工程ST16で厚付け金めっき層を形成し、金めっき層4を備えたパッド6を形成する。この自己触媒型無電解めっき工程ST16では、還元剤として、エリソルビン酸を還元剤として含むめっき液を用いる。
請求項(抜粋):
少なくとも、金属イオンおよび還元剤を含む無電解めっき液において、前記還元剤としてエリソルビン酸またはその塩を含むことを特徴とする無電解めっき液。
IPC (4件):
C23C 18/44
, C23C 18/52
, H01L 21/60
, H05K 3/24
FI (4件):
C23C 18/44
, C23C 18/52 B
, H05K 3/24 A
, H01L 21/92 604 D
Fターム (22件):
4K022AA02
, 4K022AA32
, 4K022AA41
, 4K022AA42
, 4K022BA03
, 4K022BA14
, 4K022BA16
, 4K022BA35
, 4K022BA36
, 4K022CA28
, 4K022DA01
, 4K022DB01
, 4K022DB04
, 4K022DB07
, 4K022DB08
, 5E343BB23
, 5E343BB24
, 5E343BB55
, 5E343BB67
, 5E343CC78
, 5E343DD33
, 5E343GG11
引用特許:
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