特許
J-GLOBAL ID：200903004757147930

半導体結晶膜の成長方法

発明者：
纐纈 明伯

纐纈 明伯 について

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河口 紀仁

河口 紀仁 について

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正木 みゆき

正木 みゆき について


出願人/特許権者：
石川島播磨重工業株式会社

石川島播磨重工業株式会社 について

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纐纈 明伯

纐纈 明伯 について


代理人 (1件)： 堀田 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-225534
公開番号（公開出願番号）：特開2003-037288
出願日： 2001年07月26日
公開日（公表日）： 2003年02月07日
要約：
【要約】【課題】 従来と同様のpn接合型のLEDにおいて、その結晶構造を改善し、成長速度を高め、格子欠陥を低減してその品質を高めることができる半導体結晶膜の成長方法を提供する。【解決手段】 サファイヤ基板上にバッファ層を介してGaN層を成長させ、次いで、その上にInGaN層又はInN層を成長させる半導体結晶膜の成長方法において、GaN層の成長を約820°C以下,約500°C以上で行い、InGaN層又はInN層の成長を約800°C以下で行う。
請求項（抜粋）：
サファイヤ基板上にバッファ層を介してGaN層を成長させ、次いで、その上にInGaN層又はInN層を成長させる半導体結晶膜の成長方法において、GaN層の成長を約820°C以下,約500°C以上で行い、InGaN層又はInN層の成長を約800°C以下で行う、ことを特徴とする半導体結晶膜の成長方法。
IPC (3件)：
H01L 33/00 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205
FI (3件)：
H01L 33/00 C ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/205
Fターム (36件)：
4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077DA05 ,  4G077DB05 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077EF01 ,  4G077HA02 ,  4G077SC02 ,  4G077TB03 ,  4G077TB05 ,  4G077TC06 ,  4G077TC13 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AF09 ,  5F045BB09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA11 ,  5F045DA53
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (2件)

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