走査トンネル顕微鏡による銀ナノ構造の作製方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-284620
公開番号（公開出願番号）：特開2004-114273
出願日： 2002年09月30日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：

【課題】電気伝導度が高く、電極材料として最適な銀のナノ構造を半導体基板上の任意の位置に簡便に作製する。【解決手段】走査トンネル顕微鏡の探針に銀から形成されたもの若しくは銀薄膜が表面に被覆されたものを使用し、この探針に電圧パルスを印加して探針から半導体基板表面上に銀をナノメートルスケールで移送する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

走査トンネル顕微鏡の探針に銀から形成されたもの若しくは銀薄膜が表面に被覆されたものを使用し、この探針に電圧パルスを印加して探針から半導体基板表面上に銀をナノメートルスケールで移送することを特徴とする走査トンネル顕微鏡による銀ナノ構造の作製方法。

IPC (2件)：

B82B3/00 , H01L21/285

FI (2件)：

B82B3/00 , H01L21/285 Z

Fターム (2件)：

4M104BB08 , 4M104DD31

引用特許：

審査官引用 (4件)

電子放出素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-235966 出願人：キヤノン株式会社
励起型走査トンネル顕微鏡
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-217936 出願人：株式会社日立製作所
特開平4-072716

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