半導体レーザおよびその製法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：朝日奈宗太 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-016843
公開番号（公開出願番号）：特開平7-226562
出願日： 1994年02月10日
公開日（公表日）： 1995年08月22日
要約：

【要約】【目的】ミニディスクや光磁気ディスクなどの読取りおよび書込みの両方ができる低い出力で低ノイズであり、20mW以上の高出力がえられる半導体レーザおよびその製法を提供する。【構成】ストライプ構造の発光領域を有する活性層4と、該活性層を挟んで両側に設けられたクラッド層3、5、8と、前記発光領域のストライプの両端に形成され、該発光領域で発生した光の一部を放射するとともに残部を反射して前記活性層内で増幅させる端面とを有する半導体レーザであって、前記活性層4に印加される電流の変化により変化する前記端面の一方から放射する光出力が2〜7mWの範囲で可干渉性の極小値を有し、かつ、前記光出力が25mW以下の範囲で電流の増加に対して前記光出力が低下する現象が生じないようにする手段が設けられている。

請求項（抜粋）：

ストライプ構造の発光領域を有する活性層と、該活性層を挟んで両側に設けられたクラッド層と、前記発光領域のストライプの両端に形成され、該発光領域で発生した光の一部を放射するとともに残部を反射して前記活性層内で増幅させる端面とを有する半導体レーザであって、前記活性層に印加される電流の変化により変化する前記端面の一方から放射する光出力が2〜7mWの範囲で可干渉性の極小値を有し、かつ、前記光出力が少なくとも25mW以下の範囲で電流の増加に対して前記光出力が低下する現象が生じないようにする手段が設けられてなる半導体レーザ。

IPC (3件)：

H01S 3/18 , G11B 7/125 , H01S 3/096

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-169666 出願人：ローム株式会社
半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-169669 出願人：ローム株式会社
特開平3-094490

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