特許
J-GLOBAL ID：200903004774238302
半導体装置およびその製造方法およびそれを用いた電子装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-098473
公開番号（公開出願番号）：特開平8-293529
出願日： 1995年04月24日
公開日（公表日）： 1996年11月05日
要約：
【要約】【目的】 LSI等を極めて小型に実装した半導体装置およびそれを用いた電子装置を提供することにある。【構成】 図7における横方向の小型化は、ポッティング樹脂102の左右両端に接してベースフィルム104の縦方向の辺の長さよりも長い形状に穿設されたスリット105 ́によって第1の実施例等と同様に実現されている。また図7における縦方向の小型化は、出力側のアウターリード群107の内側の先端部が、ICチップ303の搭載領域402の内側まで、つまりICチップ303の下にまで延在するように形成されており、この部分で外部との接続を取る構造により、実現されている。
請求項（抜粋）：
ベースフィルムの一主面側に搭載されたICチップと、該ICチップから前記ベースフィルムの一辺へと導出されたパターンとして形成された導電性のリードパターンと、前記ICチップの少なくとも前記リードパターンに接続する部分を含む一主面上を被覆して封止する封止部材とを備えた半導体装置において、前記ベースフィルムの前記リードパターンが導出された一辺とは異なり前記一辺に対して交差する方向の他辺が、前記封止部材で封止された領域の輪郭線と実質的に接するように前記ベースフィルムの外形線が形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/60 311
, H01L 21/60
, H01L 21/56
H01L 21/60 311 W
, H01L 21/60 311 R
, H01L 21/56 E
