特許
J-GLOBAL ID：200903004781964604
光情報記録媒体
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
多田 繁範
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-060986
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260060
出願日： 1999年03月09日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、光情報記録媒体に関し、例えば情報記録層を積層した光ディスクに適用して、書き換え可能であって、かつ高密度記録することができるようにする。【解決手段】 エンハンス膜3B、3F、4B、4F、結晶化促進膜3C、3E、4C、4Eを配置してなる相変化材料による情報記録層3、4を積層し、最も支持基板側の情報記録層3のみに反射膜3Aを形成すると共に、各情報記録層3、4を構成する膜材料を選定する。
請求項（抜粋）：
凹凸パターンによる案内溝が形成された厚さ0.3〜1.2〔mm〕の支持基板上に、透明の中間層を間に挟んで複数の情報記録層が積層され、厚さ10〜177〔μm〕の光透過層が積層されてなる光情報記録媒体であって、前記情報記録層は、InSe、SbSe、SbTe二元合金、InSbSe、GeSbTe、InSbTe三元合金、GeSbTeSe、AgInSbTe四元合金、AgInSbSeTe五元合金、これらの何れかの合金の窒化物又は酸化物の少なくとも1種類を含む相変化材料による相変化材料膜を有し、少なくとも前記相変化材料膜の前記支持基板側又は前記支持基板側とは逆側に、結晶化促進膜、エンハンス膜が形成され、最も支持基板側の前記情報記録層は、前記支持基板側の最も外側に反射膜が割り当てられ、前記支持基板側とは逆側の最も外側に半透明エンハンス膜が割り当てられ、前記結晶化促進膜は、Si、SiC、Ge、GeC、Sn、SnC、Al、AlC、Ga、GaC、In、InC、これら何れかの窒化物又は酸化物の少なくとも1種類を含む材料により形成されたことを特徴とする光情報記録媒体。
IPC (4件)：
G11B 7/24 511
, G11B 7/24 522
, G11B 7/24 533
, G11B 7/24 535
G11B 7/24 511
, G11B 7/24 522 D
, G11B 7/24 533 Z
, G11B 7/24 535 C
5D029JA01
, 5D029JB03
, 5D029LC02
, 5D029MA15
, 5D029NA23
, 5D029NA24
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (14件)
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