半導体ウェーハ洗浄装置及びこれを用いたウェーハ洗浄方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：八田幹雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-281809
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231674
出願日： 2001年09月17日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】半導体ウェーハ洗浄装置及びこれを用いたウェーハ洗浄方法を提供する。【解決手段】ウェーハWが導入されるチャンバ100と、前記チャンバ100内に位置し、前記ウェーハWを支持かつ固定させる回転可能なチャック102と、前記ウェーハW上に洗浄液を噴射できるノズル104と、前記チャンバ100の上部を覆う蓋体106と、前記蓋体106の上部に固定されて、前記ウェーハWまたは前記洗浄液を加熱できる加熱ランプ108と、前記蓋体106を覆う冷却水導管及び前記蓋体106内の前記加熱ランプ108の下部に位置し、前記加熱ランプ108が前記洗浄液により汚染されることを防止するための汚染防止板110を含む。よって、オゾン水、水素水、電解イオン水などの洗浄液を短時間内に加熱してウェーハWを洗浄することができる。

請求項（抜粋）：

ウェーハが導入されるチャンバと、前記チャンバ内に位置し、前記ウェーハを支持かつ固定させる回転可能なチャックと、前記ウェーハ上に洗浄液を噴射できるノズルと、前記チャンバの上部を覆う蓋体と、前記蓋体の上部に固定されて、前記ウェーハまたは前記洗浄液を加熱できる加熱ランプと、前記蓋体を覆う冷却水導管と、前記蓋体内の前記加熱ランプの下部に位置し、前記加熱ランプが前記洗浄液により汚染されることを防止するための汚染防止板とを含むことを特徴とする半導体ウェーハ洗浄装置。

IPC (4件)：

H01L 21/304 643 , H01L 21/304 647 , B05B 1/00 , B05D 3/10

FI (4件)：

H01L 21/304 643 Z , H01L 21/304 647 Z , B05B 1/00 Z , B05D 3/10 F

Fターム (12件)：

4D075AA01 , 4D075BB65X , 4D075DA08 , 4D075DB13 , 4D075DC22 , 4D075EA06 , 4D075EB60 , 4F033AA04 , 4F033BA04 , 4F033CA01 , 4F033DA01 , 4F033EA01

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体ウエハの処理装置およびその処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-307916 出願人：三菱電機株式会社
基板洗浄装置及び基板洗浄方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-247559 出願人：株式会社ウルトラクリーンテクノロジー開発研究所
特開平2-237029

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