特許
J-GLOBAL ID：200903004813426731
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-129768
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306680
出願日： 1995年04月28日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：
【要約】【目的】シリコン基板表面を選択的に酸化して素子分離構造を形成する方法において、工程の増大と複雑化を回避し、バーズビークによる素子領域の変形、素子領域と素子分離領域との間の段差、素子分離のための酸化シリコン膜形成の際の選択的な酸化時に基板にかかる応力による素子特性の悪化等を抑止した方法の提供。【構成】シリコン基板表面に形成した薄い第1の酸化シリコン膜上に耐酸化膜を選択的に形成し、耐酸化膜をマスクとして第1の酸化シリコン膜を酸窒化して耐酸化膜に覆われていない素子分離領域に酸窒化シリコン膜を形成し、、耐酸化膜をマスクとして酸窒化シリコン膜に異方性エッチングを施し、素子分離領域のシリコン基板を露出させ、耐酸化膜をマスクとして素子分離領域のシリコン基板を選択的に酸化して素子分離のための酸化シリコン膜を形成する。
請求項（抜粋）：
シリコン基板表面を選択的に酸化することにより素子分離構造を形成する半導体装置の製造方法において、(a)前記シリコン基板表面に形成した第1の酸化シリコン膜上に耐酸化膜を選択的に形成する工程と、(b)前記耐酸化膜をマスクとして前記第1の酸化シリコン膜を酸窒化して前記耐酸化膜に覆われていない素子分離領域に酸窒化シリコン膜を形成する工程と、(c)前記耐酸化膜をマスクとして前記酸窒化シリコン膜に異方性エッチングを施し、素子分離領域の前記シリコン基板を露出させる工程と、(d)前記耐酸化膜をマスクとして素子分離領域の前記シリコン基板を選択的に酸化し、素子分離のための酸化シリコン膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/94 A
, H01L 21/76 M
