特許
J-GLOBAL ID：200903004814388884

半導体装置及びその製造方法

発明者：
清利 正弘

清利 正弘 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-086342
公開番号（公開出願番号）：特開2006-269789
出願日： 2005年03月24日
公開日（公表日）： 2006年10月05日
要約：
【課題】STIの微細化を図る。【解決手段】半導体装置は、半導体基板101内に設けられたSTI構造の素子分離溝106a,106bと、この素子分離溝106a,106b内に形成され、金属酸化物を主成分とする絶縁膜108と、この絶縁膜108上に形成され、素子分離溝106a,106bを埋め込むポリシラザン膜109とを具備する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板内に設けられたSTI(Shallow Trench Isolation)構造の素子分離溝と、 前記素子分離溝内に形成され、金属酸化物を主成分とする絶縁膜と、 前記絶縁膜上に形成され、前記素子分離溝を埋め込むポリシラザン膜と を具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/76 ,  H01L 27/08 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/823
FI (3件)：
H01L21/76 L ,  H01L27/08 331A ,  H01L27/08 102A
Fターム (20件)：
5F032AA35 ,  5F032AA44 ,  5F032AA45 ,  5F032AA49 ,  5F032AA54 ,  5F032CA17 ,  5F032DA03 ,  5F032DA10 ,  5F032DA25 ,  5F032DA33 ,  5F032DA53 ,  5F032DA74 ,  5F048AA01 ,  5F048AA04 ,  5F048AC01 ,  5F048BA01 ,  5F048BC06 ,  5F048BF11 ,  5F048BG13 ,  5F048DA23
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 米国特許第6,429,136号明細書
  • 米国特許第6,479,369号明細書
  • 米国特許第6,699,799号明細書
審査官引用 (5件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-090680   出願人：株式会社東芝
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-098994   出願人：株式会社日立製作所
  • 特開平1-138730
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