特許
J-GLOBAL ID：200903094904262668

半導体装置

発明者：
小野 瑞城

小野 瑞城 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 松山 允之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-090680
公開番号（公開出願番号）：特開2003-289141
出願日： 2002年03月28日
公開日（公表日）： 2003年10月10日
要約：
【要約】【課題】 高誘電材料をゲート絶縁膜として用いつつ、上述したような素子分離領域との境界付近で生ずる電界集中を抑制した半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体からなる素子領域と、前記素子領域に隣接して設けられた絶縁体からなる素子分離領域(7)と、前記素子領域の上と前記素子分離領域の上とに連続的に設けられたゲート絶縁膜(5)と、前記ゲート絶縁膜の上に設けられたゲート電極(6)と、を備え、前記素子分離領域のうちの少なくとも、前記素子領域との隣接部分であって且つ前記ゲート絶縁膜とも隣接する表面近傍の端部(14)が、酸化シリコンよりも高い誘電率を有する第1の材料により形成されてなる半導体装置を提供する。
請求項（抜粋）：
半導体からなる素子領域と、前記素子領域に隣接して設けられた絶縁体からなる素子分離領域と、前記素子領域の上と前記素子分離領域の上とに連続的に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上に設けられたゲート電極と、を備え、前記素子分離領域のうちの少なくとも、前記素子領域との隣接部分であって且つ前記ゲート絶縁膜とも隣接する表面近傍の端部が、酸化シリコンよりも高い誘電率を有する第1の材料により形成されてなることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/76
FI (2件)：
H01L 29/78 301 R ,  H01L 21/76 L
Fターム (66件)：
5F032AA34 ,  5F032AA44 ,  5F032AA54 ,  5F032AA70 ,  5F032AA77 ,  5F032CA03 ,  5F032CA05 ,  5F032CA09 ,  5F032CA14 ,  5F032CA15 ,  5F032CA17 ,  5F032CA18 ,  5F032DA02 ,  5F032DA06 ,  5F032DA07 ,  5F032DA12 ,  5F032DA23 ,  5F032DA24 ,  5F032DA25 ,  5F032DA26 ,  5F032DA33 ,  5F032DA53 ,  5F032DA57 ,  5F032DA78 ,  5F140AA19 ,  5F140AA39 ,  5F140BA01 ,  5F140BA05 ,  5F140BC06 ,  5F140BC17 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD13 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF07 ,  5F140BF08 ,  5F140BF11 ,  5F140BG08 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG34 ,  5F140BG36 ,  5F140BG38 ,  5F140BG41 ,  5F140BG46 ,  5F140BH15 ,  5F140BH16 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ06 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ23 ,  5F140BK13 ,  5F140BK27 ,  5F140BK29 ,  5F140CA02 ,  5F140CA03 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CB10 ,  5F140CC03 ,  5F140CC12
引用特許：
審査官引用 (4件)
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