特許

J-GLOBAL ID：200903004824039063

相変化物質層及びその製造方法、該相変化物質層を備える相変化メモリ素子及びその製造方法並びに動作方法

発明者： 姜 允善 ,  盧 振瑞
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-006200
公開番号（公開出願番号）：特開2008-177570
出願日： 2008年01月15日
公開日（公表日）： 2008年07月31日
要約：

【課題】相変化物質層及びその製造方法、該相変化物質層を備える相変化メモリ素子及びその製造方法並びに動作方法を提供する。【解決手段】インジウムを含む4成分化合物層であって、インジウム含有量(a)が15at.%≦a≦20at.%であることを特徴とする相変化物質層であり、該相変化物質層は、InaGebSbcTed層でありうる。このとき、Geの含有量(b)は10at.%≦b≦15at.%であり、Sbの含有量(c)は20at.%≦c≦25at.%であり、Teの含有量(d)は40at.%≦d≦55at.%でありうる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

インジウムを含む4成分化合物層であって、インジウム含有量(a)が15at.%≦a≦20at.%であることを特徴とする相変化物質層。

IPC (2件)：

H01L 45/00 ,  H01L 27/105

FI (2件)：

H01L45/00 A ,  H01L27/10 448

Fターム (13件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083GA27 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083KA01 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083PR22 ,  5F083PR34

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特願2007-545245
  出願番号：特願2007-545245  
• ゲルマニウムまたはテルル含有量の少ないカルコゲナイドデバイス及びカルコゲナイド材料
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2008-545607   出願人：オヴォニクス,インコーポレイテッド
• 特願2007-545245
  出願番号：特願2007-545245  
• ドーピングされた相変化層を備える相変化メモリ素子およびその動作方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-176477   出願人：三星電子株式会社