特許
J-GLOBAL ID：200903004825859510

ポリシリコン結晶化方法、そして、これを用いたポリシリコン薄膜トランジスタの製造方法及び液晶表示素子の製造方法

発明者：
鄭 世 鎭

鄭 世 鎭 について


出願人/特許権者：
エルジー.フィリップス エルシーデー カンパニー,リミテッド

エルジー.フィリップス エルシーデー カンパニー,リミテッド について


代理人 (1件)： 岡部 正夫 (外10名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-188292
公開番号（公開出願番号）：特開2003-068646
出願日： 2002年06月27日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：
【要約】【課題】 一定の方位の結晶粒を有する良質のポリシリコン層を形成し、その結晶粒の大きさを増大させてポリシリコン内の電子移動度を向上させると共に、このような良質のポリシリコン層を用いて電気的な特性に優れたポリシリコン薄膜トランジスタ及び液晶表示素子を提供する。【解決手段】 特に、本発明によるポリシリコン結晶化方法は、基板上にポリシリコン層を形成する段階と、前記ポリシリコン層の特定の方位の結晶粒を除いた残り方位の結晶粒を非結晶化させる段階と、前記特定方位の結晶粒を用いて前記ポリシリコン層を結晶化する段階とを備えていることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基板上にポリシリコン層を形成する第1段階と、前記ポリシリコン層の特定の方位の結晶粒を除いた残り方位の結晶粒を非結晶化させる第2段階と、前記特定方位の結晶粒を用いて前記ポリシリコン層を結晶化する第3段階とを備えていることを特徴とするポリシリコン結晶化方法。
IPC (4件)：
H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786
FI (3件)：
H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 29/78 627 G
Fターム (52件)：
2H092JA25 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JB56 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KB25 ,  2H092MA27 ,  2H092MA30 ,  2H092NA21 ,  5F052AA02 ,  5F052BB07 ,  5F052CA04 ,  5F052DA01 ,  5F052DB03 ,  5F052EA15 ,  5F052FA05 ,  5F052HA06 ,  5F052JA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE43 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF21 ,  5F110FF27 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG17 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL22 ,  5F110NN03 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN72 ,  5F110PP03 ,  5F110PP22 ,  5F110PP33 ,  5F110QQ11
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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