特許
J-GLOBAL ID：200903004838794140
EEPROMのアップグレード方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
上野 英夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-354216
公開番号（公開出願番号）：特開平8-255084
出願日： 1995年12月29日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：
【要約】【課題】余分なブートROMを必要とせずに、電源異常に耐えるフラッシュEEPROMのアップグレードを可能にする方法及びシステムを提供する。【解決手段】本発明の一実施例によれば、不揮発性メモリ・ビット回路が、フラッシュEEPROMの個別に消去/書き込み可能なブロックに関連したアドレス空間を強制操作するために利用される。主ブート・ブロック・ファームウェアの内容は、代替ブート・ブロックにコピーされ、代替ブート・ブロックがマイクロプロセッサの視点から主ブート・ブロックのアドレス空間に現れるように、不揮発性メモリ・ビット回路がセットされる。次に、主ブート・ブロックが消去され、新しいファームウェア情報が書き込まれる。次に、主ブート・ブロックを主アドレス空間に戻すことができるように、不揮発性メモリ・ビット回路がリセットされ、代替ブロックが、その新しいファームウェア情報によってアップグレードされる。
請求項（抜粋）：
第1のメモリにおける主アドレス空間に関連した主ブート・ブロックから代替アドレス空間に関連した代替ブート・ブロックにブート・データをコピーするステップと、前記代替ブート・ブロックがマイクロプロセッサの視点から主アドレス空間に現れ、前記主ブート・ブロックが代替アドレス空間に現れるように、第2の不揮発性メモリをセットするステップと、新しいブート・データを前記主ブート・ブロックに書き込むステップと、前記主ブート・ブロックを主アドレス空間に戻し、前記代替ブート・ブロックを代替アドレス空間に戻すように前記第2の不揮発性メモリをリセットするステップと、を備えて成る、前記第1のメモリのアップグレード方法。
IPC (5件)：
G06F 9/445
, G06F 9/06 410
, G06F 9/06 540
, G06F 12/06 570
, G11C 16/06
G06F 9/06 420 M
, G06F 9/06 410 J
, G06F 9/06 540 M
, G06F 12/06 570 E
, G11C 17/00 309 G
