特許

J-GLOBAL ID：200903004842966095

平面型磁気素子一体型半導体デバイス

発明者： 江戸 雅晴
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-138014
公開番号（公開出願番号）：特開2000-331830
出願日： 1999年05月19日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】 製造工程が少なく、良品率の高い平面型磁気素子一体型半導体素子を提供する。【解決手段】 集積回路21上に平面型磁気素子22を電気的に接続して一体型にするために、両者をコンタクトホール6を有する絶縁膜を介して接合するとき、そのコンタクトホール6の側壁形状が順傾斜を持つようにすることで、工程を減らし良品率を高める。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された集積回路上に、スパイラル平面型コイル,絶縁体および前記スパイラル平面コイルを挟み込む軟磁性体薄膜を積層してなる平面型磁気素子を、コンタクトホールを有する絶縁膜を介して形成し、そのコンタクトホールの側壁形状が順傾斜をもつことを特徴とする平面型磁気素子一体型半導体デバイス。

IPC (7件)：

H01F 17/00 ,  H01F 10/06 ,  H01F 27/00 ,  H01F 27/28 ,  H01F 37/00 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (6件)：

H01F 17/00 B ,  H01F 10/06 ,  H01F 27/28 D ,  H01F 37/00 D ,  H01F 15/00 Z ,  H01L 27/04 L

Fターム (20件)：

5E043EA04 ,  5E043EA05 ,  5E043EA06 ,  5E049AC00 ,  5E049AC08 ,  5E049BA14 ,  5E070AA05 ,  5E070AB01 ,  5E070BA20 ,  5E070CB12 ,  5E070CB13 ,  5E070CB17 ,  5E070CB20 ,  5E070CC10 ,  5E070DB08 ,  5F038AZ04 ,  5F038CA05 ,  5F038CA10 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 積層型インダクタおよび積層セラミック部品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-142124   出願人：ティーディーケイ株式会社
• 薄膜多層配線基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-020096   出願人：日本碍子株式会社