特許

J-GLOBAL ID：200903004849937970

シリコン・コバルト膜形成用組成物、シリコン・コバルト膜およびその形成方法

発明者： 松木 安生 ,  王 道海 ,  酒井 達也 ,  岩沢 晴生
出願人/特許権者： JSR株式会社
代理人 (1件)： 大島 正孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-293581
公開番号（公開出願番号）：特開2005-142540
出願日： 2004年10月06日
公開日（公表日）： 2005年06月02日
要約：

【課題】 高価な真空装置や高周波発生装置を必要とせず、製造コストが安く、シリコン・コバルト膜を形成するための組成物と方法を提供すること。【解決手段】 シリコン化合物およびコバルト化合物を含有するシリコン・コバルト膜形成用組成物。この組成物を基体に塗布し、熱や光により処理するとシリコン・コバルト膜が形成される。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

シリコン化合物およびコバルト化合物を含有することを特徴とするシリコン・コバルト膜形成用組成物。

IPC (3件)：

H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205

FI (3件)：

H01L21/28 301S ,  H01L21/288 Z ,  H01L21/88 B

Fターム (13件)：

4M104BB20 ,  4M104DD22 ,  4M104DD51 ,  4M104DD78 ,  4M104DD80 ,  4M104DD81 ,  5F033HH25 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ82 ,  5F033QQ83 ,  5F033XX34

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特許第3282743号公報
  

審査官引用 (3件)

• 特開昭60-026668
  
• スパッタターゲット、スパッタ装置、半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-348959   出願人：株式会社東芝
• シリコン膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-133185   出願人：シャープ株式会社