スパッタターゲット、スパッタ装置、半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-348959
公開番号（公開出願番号）：特開平10-195643
出願日： 1996年12月26日
公開日（公表日）： 1998年07月28日
要約：

【要約】【課題】ソース・ドレイン拡散層およびゲート側壁絶縁膜等の絶縁膜上にTiを含むCo膜を形成し、熱処理によりソース・ドレイン拡散層の表面にCoSi膜を形成した後に、上記絶縁膜上のTiを含むCo膜を選択的に除去すること。【解決手段】Ti添加濃度が33原子%未満のCoTi合金ターゲットを用いたスパッタ装置により、n型ソース・ドレイン拡散層18およびゲート側壁絶縁膜17等の絶縁膜上にSiを含むCo膜19を形成し、次に熱処理によりソース・ドレイン拡散層18の表面にCoSi膜20を形成し、次に上記絶縁膜上のSiを含むCo膜をCoの選択エッチング液により選択的に除去する。

請求項（抜粋）：

磁性を有する金属または合金からなる主成分と、非磁性金属および半導体の少なくとも一方からなる副成分とから構成され、前記副成分の濃度が33原子%未満であることを特徴とするスパッタターゲット。

IPC (5件)：

C23C 14/34 , H01L 21/203 , H01L 21/285 , H01L 21/285 301 , H01L 29/78

FI (5件)：

C23C 14/34 A , H01L 21/203 S , H01L 21/285 S , H01L 21/285 301 T , H01L 29/78 301 S

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体集積回路装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-134883 出願人：日本電気株式会社
特開昭63-061421
特開平4-276070

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