特許
J-GLOBAL ID：200903004870732873
強誘電性薄膜の性能を最適化するための多層方式
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-205468
公開番号（公開出願番号）：特開平11-126877
出願日： 1998年07月21日
公開日（公表日）： 1999年05月11日
要約：
【要約】【課題】 電気的性能を高めるために最適化された組成プロフィールを強誘電性薄膜に得ることを提供する。【解決手段】 多層強誘電性薄膜は、核形成層14、バルク層16および任意のキャップ層18を含んでいる。特定の組成の薄い核形成層14は、強誘電性結晶方位を最適化するために下部電極12上に実現されて、必要とされる組成とは強誘電性薄膜の大半において著しく異なる。バルク膜16は、その結晶成長のための基板として確立された核形成層を利用する。複数ステップの堆積プロセスは、所望の組成プロフィールを得るように実施される。この方法は、薄膜の上部表面の近くのオプションの第3の組成の調節物を、上部電極界面との適合性を確実にするために、また引き続く処理から生じる相互作用を補償するために、考慮している。
請求項（抜粋）：
改良された強誘電性薄膜において、第1の百分比(percentage)の過剰な鉛を含む第1のPZT層を備え、第2の百分比の過剰な鉛を含む第2のPZT層を備え、該第1の百分比は該第2の百分比よりも大きい、強誘電性薄膜。
IPC (4件)：
H01L 27/10 451
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 21/31
H01L 27/10 451
, H01L 21/31 D
, H01L 27/10 651
