特許

J-GLOBAL ID：200903002482358312

強誘電体薄膜被覆基板、その製造方法、及びキャパシタ構造素子

発明者： 佐藤 咲子 ,  木島 健 ,  松永 宏典 ,  木場 正義
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-168119
公開番号（公開出願番号）：特開平8-340085
出願日： 1995年06月09日
公開日（公表日）： 1996年12月24日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、薄膜の表面が緻密で平坦でリーク電流特性に優れ、かつ十分に大きな残留自発分極を示す強誘電体薄膜が低温プロセスで作製可能な強誘電薄膜基板、その製造方法、及び前記強誘電体薄膜被覆基板を用いたキャパシタ構造素子を提供することを目的としている。【構成】 基板1上に結晶質薄膜5を介して強誘電体薄膜6が形成された強誘電体薄膜被覆基板であって、結晶質薄膜5を構成する結晶粒子の粒径が、強誘電体薄膜6を構成する結晶粒子の粒径よりも小さい構成としている。

請求項（抜粋）：

基板上に結晶質薄膜を介して強誘電体薄膜が形成され、前記結晶質薄膜を構成する結晶粒子の粒径が、前記強誘電体薄膜を構成する結晶粒子の粒径よりも小さいことを特徴とする強誘電体薄膜被覆基板。

IPC (13件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  C01G 29/00 ,  C30B 29/32 ,  G11C 11/22 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 37/02 ,  H01L 49/02

FI (10件)：

H01L 27/04 C ,  C01G 29/00 ,  C30B 29/32 A ,  G11C 11/22 ,  H01L 21/31 B ,  H01L 21/316 X ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 37/02 ,  H01L 49/02 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 誘電体薄膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-179920   出願人：富士通株式会社
• 電子デバイスおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-104146   出願人：三菱電機株式会社
• 薄膜キャパシタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-177836   出願人：日本電気株式会社