特許
J-GLOBAL ID:200903004879466114

ドライブ配線電荷再利用方法及びMOS型半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 滝本 智之 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-306120
公開番号(公開出願番号):特開平10-149683
出願日: 1996年11月18日
公開日(公表日): 1998年06月02日
要約:
【要約】【課題】 ゲートをドライブするのに必要な電荷のうちの一部を、それ以前にドライブしていた配線に蓄積された電荷を再利用することで、高速かつ低消費電力なメモリ等のMOS型半導体装置を提供する。【解決手段】 複数のゲート電極4〜8をドライブするドライブ配線3をドライブするのに利用した電荷を、ドライブ後にスイッチ手段14により、電荷蓄積手段13に移動させ、次にゲートドライブ手段9がドライブされる場合には、スイッチ手段15を開いて電荷を再利用することにより消費電力が低減される。
請求項(抜粋):
負荷を接続したドライブ配線と前記配線をドライブするドライブ手段からなる複数組のゲートドライブ手段と、前記複数組のゲートドライブ手段を制御するドライブ制御手段と、電荷を蓄積する電荷蓄積手段と、前記複数組のゲートドライブ手段の前記ドライブ配線のそれぞれと前記電荷蓄積手段との間を接続する複数組のスイッチ手段と、前記複数組のスイッチ手段を制御するスイッチ制御手段とを具備したMOS型半導体装置において、特定組のゲートドライブ手段のドライブ配線に蓄積された電荷を、前記スイッチ制御手段により前記特定組のスイッチ手段を閉じて前記電荷蓄積手段に移動させるステップと、前記電荷蓄積手段に所望の電荷が蓄積された後に、前記スイッチ制御手段により前記特定組を除く他の特定組の第二のスイッチ手段を閉じて、前記他の特定組のゲートドライブ手段のドライブ配線と前記電荷蓄積手段を接続して蓄積された電荷を前記ドライブ配線に移動させるステップと、所望の電荷が前記他の特定組のゲートドライブ手段のドライブ配線に移動した後に、前記ドライブ制御手段により前記他の特定組のゲートドライブ手段のドライブ手段を活性化させて、負荷を活性化するのに必要な残りの電荷を前記他の特定組のゲートドライブ手段のドライブ配線に与えるステップとを具備したドライブ配線電荷再利用方法。
IPC (3件):
G11C 11/417 ,  H03K 19/0175 ,  H03K 19/0948
FI (3件):
G11C 11/34 305 ,  H03K 19/00 101 F ,  H03K 19/094 B
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 半導体記憶装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-267802   出願人:シヤープ株式会社
  • ビットライン選択回路
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平8-109889   出願人:エルジーセミコンカンパニーリミテッド

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