特許
J-GLOBAL ID:200903004897071232
プラズマ処理装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
井上 俊夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-290036
公開番号(公開出願番号):特開2000-106298
出願日: 1998年09月28日
公開日(公表日): 2000年04月11日
要約:
【要約】【課題】 例えばECR(電子サイクロトロン共鳴)プラズマ処理装置において、長期間に亘ってプラズマ空間と外部との間の高いシール性を得ること。【解決手段】 ECRプラズマ処理装置のマイクロ波透過窓23と真空容器2との間のシール部分に、耐プラズマ性に優れた材質、例えば耐プラズマ性の高い種類のパーフロロエラストマよりなる第1のシール材61を設け、かつその外側にさらに面接触性が高く、ガス透過性が低い材質、例えばフッ素ゴムまたは面接触性が高く、ガス透過性が低い種類のパーフロロエラストマよりなる第2のシール材62を設け、第2のシール材62により高いシール性を確保するとともに、第1のシール材61によりプラズマによる劣化を抑制する。
請求項(抜粋):
真空容器内に発生したプラズマにより被処理体を処理する装置において、前記真空容器の一部をなす第1の部材及び第2の部材と、前記第1の部材と前記第2の部材との間に介在し、かつプラズマ空間と外部との間をシールするために設けられた、耐プラズマ性の高い材質よりなる第1のシール材と、前記第1の部材と前記第2の部材との間に介在し、かつプラズマ空間と外部との間をシールするために前記第1のシール材よりも外部側に設けられた、面接触性が高く、材質自体のガス透過性が低い第2のシール材と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (5件):
H05H 1/46
, C23C 16/511
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
, H01L 21/31
FI (5件):
H05H 1/46 B
, C23C 16/50 E
, H01L 21/205
, H01L 21/31 C
, H01L 21/302 B
Fターム (16件):
4K030FA02
, 4K030FA04
, 4K030KA10
, 4K030KA30
, 4K030KA45
, 4K030KA46
, 5F004BA16
, 5F004BB14
, 5F004BB29
, 5F004BC01
, 5F045AA10
, 5F045EB05
, 5F045EB10
, 5F045EC01
, 5F045EC05
, 5F045EH17
引用特許:
審査官引用 (4件)
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プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-314070
出願人:東京エレクトロン株式会社
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特開平1-287284
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半導体製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-113827
出願人:株式会社日立製作所, 日立東京エレクトロニクス株式会社
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