特許

J-GLOBAL ID：200903004922747424

薄膜磁界センサ

発明者： 小林 伸聖 ,  村上 進 ,  大沼 繁弘 ,  増本 健
出願人/特許権者： 財団法人電気磁気材料研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-279308
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087804
出願日： 1997年09月04日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：

【要約】【課題】本発明は、磁界感度の悪い巨大磁気抵抗(GMR)薄膜材料を軟磁性薄膜と複合化することによって、磁界感度の高いGMR薄膜磁界センサを提供することを目的とする。【解決手段】軟磁性薄膜をGMR薄膜の両側に配置することにより、高い飽和磁束密度を有する軟磁性薄膜の強い磁化に相当する磁界が、GMR薄膜に作用することにより、その磁気抵抗効果(MR比)の磁界感度が著しく向上する。

請求項（抜粋）：

軟磁性薄膜と巨大磁気抵抗薄膜とによって構成することにより、磁気抵抗効果(MR)の磁界感度を上げたことを特徴とする薄膜磁界センサ。

IPC (4件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/00

FI (4件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/00 ,  G01R 33/06 R

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-063364   出願人：ヤマハ株式会社