特許

J-GLOBAL ID：200903004937117311

電界効果トランジスタ

発明者： 大野 玲
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-217738
公開番号（公開出願番号）：特開2006-041127
出願日： 2004年07月26日
公開日（公表日）： 2006年02月09日
要約：

【課題】 電界効果トランジスタのキャリアの移動度を向上させる。【解決手段】 半導体部と絶縁部を備える電界効果トランジスタであって、絶縁部が強誘電性及び強磁性をともに有する物質と非磁性物質を含有することを特徴とする電界効果トランジスタ。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

少なくとも半導体部と、 絶縁部を備える電界効果トランジスタであって、 絶縁部が、強誘電性及び強磁性をともに有する物質及び非磁性物質を含有することを特 徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 29/80 ,  H01L 51/05

FI (5件)：

H01L29/78 617T ,  H01L29/80 V ,  H01L29/78 626A ,  H01L29/28 ,  H01L29/78 618B

Fターム (48件)：

5F102FB01 ,  5F102GB04 ,  5F102GC08 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL01 ,  5F102GR09 ,  5F102GR12 ,  5F102GS07 ,  5F110AA01 ,  5F110AA07 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110CC09 ,  5F110DD01 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE24 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF05 ,  5F110FF06 ,  5F110FF07 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110HK01 ,  5F110NN01 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 有機半導体材料、これを用いた電界効果トランジスタ、スイッチング素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-109005   出願人：コニカミノルタホールディングス株式会社

引用文献：

出願人引用 (1件)

• Reduced Leakage Current and Ferroelectric Properties in Nd and Mn Codoped BiFeO3 Thin Films

審査官引用 (1件)

• Reduced Leakage Current and Ferroelectric Properties in Nd and Mn Codoped BiFeO3 Thin Films