特許
J-GLOBAL ID：200903004941475761

半導体電力変換回路

発明者：
伊東 稔弥

伊東 稔弥 について


出願人/特許権者：
富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-114490
公開番号（公開出願番号）：特開2000-308364
出願日： 1999年04月22日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：
【要約】【課題】半導体電力変換回路としてのブリッジ結線回路を一体化したモジュールの端子配置を統一して、この半導体電力変換回路の組み立て作業の標準化し、製作変更を容易にする。【解決手段】例えば、インバータ装置を構成する三相ブリッジ結線のコンバータ10と三相ブリッジ結線のインバータ20とにおいて、コンバータ10の上面の下辺部に交流側端子(R,S,T)を配置し、コンバータ10の上面の左辺部および右辺部の双方に直流側端子(P,N)を配置し、インバータ20の上面の下辺部に交流側端子(U,V,W)を配置し、インバータ20の上面の左辺部および右辺部の双方に直流側端子(P,N)を配置し、コンバータ10の一方のP,N端子それぞれと、インバータ20の一方のP,N端子それぞれとの間の接続を接続導体54で行うようにする。
請求項（抜粋）：
半導体スイッチ素子を2m(m=1、2、3、・・・)個用い、これらの半導体スイッチ素子でブリッジ結線回路を構成し、該ブリッジ結線回路を一体化したモジュールに形成する際に、前記ブリッジ結線回路の交流側端子を前記モジュールの一面の上辺部または下辺部のいずれか一方に配置し、前記ブリッジ結線回路の直流側端子を前記モジュールの前記一面の左辺部および右辺部の双方に配置したことを特徴とする半導体電力変換回路。
IPC (2件)：
H02M 7/48 ,  H02M 7/5387
FI (2件)：
H02M 7/48 Z ,  H02M 7/5387 Z
Fターム (5件)：
5H007CA01 ,  5H007CB05 ,  5H007CC03 ,  5H007HA03 ,  5H007HA04
引用特許：
審査官引用 (3件)

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