特許
J-GLOBAL ID：200903004956070563

基板及びその分断方法、電気光学装置及びその製造方法、ならびに電子機器

発明者：
黒木 泰宣

黒木 泰宣 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (2件)： 上柳 雅誉 ,  宮坂 一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-171008
公開番号（公開出願番号）：特開2008-000770
出願日： 2006年06月21日
公開日（公表日）： 2008年01月10日
要約：
【課題】レーザスクライブするとき、レーザ光による損傷が防止できる基板及びその分断方法、電気光学装置及びその製造方法、電子機器を提供すること。【解決手段】基板39に光透過性の導電膜からなる配線41及び電極端子42等を形成する。基板38と基板39とを接着剤37にて接合する。基板38において、配線41及び電極端子42と対向する場所に分断予定線55a,55bを設定する。レーザ光56を集光レンズ8にて集光し、基板38に設定されている分断予定線55a,55bに沿って、照射する。基板38内にレーザ光56が集光して照射される場所には改質部57が形成される。集光レンズ8と基板38とを相対的に移動して改質部57を配列して形成する。改質部57が配列されているスクライブ面59a,59bに沿って応力を加え、基板38を分断する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
基板を分断する基板の分断方法であって、 前記基板にレーザ光を透過する導電膜を形成する導電膜形成工程と、 前記基板に前記レーザ光を照射して、前記基板の内部に改質部を形成するスクライブ工程と、 前記改質部を押圧して前記基板を分断する分断工程とを有し、 前記導電膜の少なくとも一部は、前記スクライブ工程において前記レーザ光が照射される場所に、形成されることを特徴とする基板の分断方法。
IPC (6件)：
B23K 26/38 ,  G02F 1/13 ,  C03B 33/09 ,  B23K 26/00 ,  B23K 26/40 ,  B28D 5/00
FI (6件)：
B23K26/38 320 ,  G02F1/13 101 ,  C03B33/09 ,  B23K26/00 D ,  B23K26/40 ,  B28D5/00 Z
Fターム (30件)：
2H088FA06 ,  2H088FA10 ,  2H088FA16 ,  2H088FA18 ,  2H088FA24 ,  2H088FA30 ,  2H088MA16 ,  2H088MA20 ,  2H090JA15 ,  2H090JB02 ,  2H090JC01 ,  3C069AA02 ,  3C069BA08 ,  3C069BB01 ,  3C069BB02 ,  3C069BB04 ,  3C069CA03 ,  3C069CA06 ,  3C069CA11 ,  3C069EA01 ,  3C069EA05 ,  4E068AA02 ,  4E068AD00 ,  4E068AE00 ,  4E068CA09 ,  4E068CF03 ,  4E068DA09 ,  4G015FA06 ,  4G015FB01 ,  4G015FC02
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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