特許

J-GLOBAL ID：200903004964036307

表示装置の作製方法

発明者： 田中 幸一郎
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-219312
公開番号（公開出願番号）：特開2008-085313
出願日： 2007年08月27日
公開日（公表日）： 2008年04月10日
要約：

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。【解決手段】導電層上にマスクを設け、マスクを設けた導電層上に絶縁膜を成膜し、マスクを除去することで開口を有する絶縁層を形成する。露出した導電層と接するように開口に導電膜を形成することによって、導電層及び導電膜は絶縁層を介して電気的に接続することができる。開口の形状はマスク形状を反映し、柱状(角柱、円柱、三角柱など)、針状などを用いることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

導電層上にマスクを設け、 前記マスクを設けた導電層上に絶縁膜を成膜し、 前記マスクを除去することで開口を有する絶縁層を形成し、 前記開口に前記導電層と接するように導電膜を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。

IPC (6件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  G09F 9/30 ,  G09F 9/00 ,  H01L 21/28

FI (6件)：

H01L21/90 A ,  H01L29/78 612D ,  H01L21/90 C ,  G09F9/30 338 ,  G09F9/00 338 ,  H01L21/28 L

Fターム (191件)：

4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB33 ,  4M104BB36 ,  4M104BB40 ,  4M104DD07 ,  4M104DD08 ,  4M104DD12 ,  4M104DD15 ,  4M104DD51 ,  4M104DD65 ,  4M104FF06 ,  4M104FF11 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104HH20 ,  5C094AA42 ,  5C094AA43 ,  5C094AA44 ,  5C094AA46 ,  5C094BA03 ,  5C094BA21 ,  5C094BA41 ,  5C094BA75 ,  5C094DB04 ,  5C094EA10 ,  5C094GB10 ,  5F033GG04 ,  5F033HH03 ,  5F033HH04 ,  5F033HH10 ,  5F033HH12 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH15 ,  5F033HH16 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033HH34 ,  5F033HH35 ,  5F033JJ04 ,  5F033JJ10 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ12 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ14 ,  5F033JJ15 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ20 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ34 ,  5F033JJ35 ,  5F033KK01 ,  5F033KK04 ,  5F033KK10 ,  5F033KK12 ,  5F033KK13 ,  5F033KK14 ,  5F033KK15 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK20 ,  5F033KK21 ,  5F033KK34 ,  5F033KK35 ,  5F033LL02 ,  5F033LL04 ,  5F033MM01 ,  5F033MM08 ,  5F033NN32 ,  5F033PP09 ,  5F033PP12 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ42 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ75 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR07 ,  5F033RR08 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033RR22 ,  5F033RR27 ,  5F033SS08 ,  5F033SS10 ,  5F033SS13 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F033XX33 ,  5F033XX34 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE08 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE23 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF32 ,  5F110GG02 ,  5F110GG05 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG32 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK25 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK35 ,  5F110HK37 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL07 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110HL24 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP10 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ23 ,  5G435AA17 ,  5G435BB01 ,  5G435BB11 ,  5G435EE41 ,  5G435KK05 ,  5G435KK10

引用特許：

出願人引用 (3件)

• パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-305726   出願人：鹿児島日本電気株式会社
• 表示装置、及び表示装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-279058   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• コンタクトホール形成方法、薄膜半導体装置の製造方法、電子デバイスの製造方法、電子デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-013228   出願人：セイコーエプソン株式会社

審査官引用 (2件)

• コンタクトホール形成方法、薄膜半導体装置の製造方法、電子デバイスの製造方法、電子デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-013228   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 表示装置、及び表示装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-279058   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所