パターン形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-305726
公開番号（公開出願番号）：特開2000-133636
出願日： 1998年10月27日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：

【要約】【課題】フォトリソグラフィ工程を削減させて、半導体装置の製造工程を大幅に簡略化しその製造コストを大幅に低減させる。【解決手段】半導体装置の製造工程の中でレジストマスクをエッチングマスクに使用し被エッチング材料をパターニングした後、このレジストマスクを膨潤等により体積膨張させて別のエッチングマスクに変える。このようにすることで、1回のフォトリソグラフィ工程を通して、被エッチング材料に2種類のパターンを形成する。

請求項（抜粋）：

半導体装置の製造工程において、被エッチング材料上に形成したレジストマスクをエッチングマスクにして前記被エッチング材料に第1のエッチングを施す工程と、前記第1のエッチングの工程後に前記レジストマスクを体積膨張させる工程と、前記体積膨張したレジストマスクをエッチングマスクにして前記被エッチング材料に第2のエッチングを施す工程と、を含むことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (7件)：

H01L 21/3065 , G03F 7/26 513 , G03F 7/38 512 , H01L 21/027 , H01L 21/3205 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (8件)：

H01L 21/302 J , G03F 7/26 513 , G03F 7/38 512 , H01L 21/30 502 R , H01L 21/30 575 , H01L 21/30 576 , H01L 21/88 F , H01L 29/78 627 C

Fターム (30件)：

2H096AA25 , 2H096JA04 , 2H096KA25 , 5F004BD03 , 5F004DA04 , 5F004DA26 , 5F004DB09 , 5F004EA01 , 5F004EA04 , 5F004EA28 , 5F004EA30 , 5F004EB02 , 5F033HH09 , 5F033MM19 , 5F033QQ00 , 5F033QQ12 , 5F033QQ15 , 5F033QQ21 , 5F033QQ26 , 5F046AA11 , 5F046AA20 , 5F046LA18 , 5F046LA19 , 5F110AA16 , 5F110GG02 , 5F110GG15 , 5F110GG24 , 5F110HK09 , 5F110HK16 , 5F110QQ02

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平2-117132
パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-041580 出願人：株式会社日立製作所
深-UV、I-線またはE-ビームリソグラフ用の新規シリコン含有ネガレジスト
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-159869 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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