特許
J-GLOBAL ID：200903004967144453
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-012283
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209165
出願日： 1997年01月27日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：
【要約】【課題】 フリップ・チップ・ボンディングを前提としたハンダ・ボールの再配置を行う際の、下地金属膜(BLM膜)とハンダ・ボールとの間のコンクタト特性と密着性を改善する。【解決手段】 Al電極パッド2aの直上領域にハンダ・ボールを配置させるためのBLM膜6aと、Al電極パッド2bの直上領域外にハンダ・ボールを再配置させるためのBLM膜6bとをそれぞれ露出させるために、感光性を有する2層目ポリイミド膜7に対してフォトリソグラフィと現像処理を行い開口7a,7bを形成すると、開口内部にポリイミド膜の残渣7sがしばしば発生する。この残差7sをArガスのプラズマを用いたスパッタ・エッチングで除去してから、ハンダ・ボールを形成する。Ar/NF3 混合ガスを用いれば、膜中へのフッ素取込みにより2層目ポリイミド膜7の低誘電率化も可能となる。
請求項（抜粋）：
デバイス・チップを被覆する有機保護膜をパターニングしてハンダ・ボールの形成位置を規定するための開口を形成し、該開口内に表出する下地金属膜にハンダ・ボールを被着させる半導体装置の製造方法であって、前記開口の内部に残存する前記有機保護膜の残渣を、前記ハンダ・ボールの被着に先立ってスパッタ・エッチングにより除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/321
, H01L 21/3205
H01L 21/92 604 S
, H01L 21/88 T
, H01L 21/92 602 L
, H01L 21/92 602 Z
