特許
J-GLOBAL ID:200903004980791174
超微細パターンの並列的製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
渡辺 三彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-152904
公開番号(公開出願番号):特開平11-345758
出願日: 1998年06月02日
公開日(公表日): 1999年12月14日
要約:
【要約】【課題】 基板表面に2次元的に周期配列する任意の形状の超微細パターンを充分な精度を持って一括して製造する方法を提供すること。【解決手段】 コヒーレントな放射光、レーザー光またはコヒーレントな電子ビームのいずれかを複数の方向からそれぞれの位相を個別に変調しながら基板7の表面に照射し、基板7の表面に結像する2次元干渉像を並行移動させて超微細パターンを描きながら、同時に原料分子または原料原子を基板7の表面に照射することにより、上記超微細パターンの位置に上記原料分子または原料原子が反応してなる材料を選択的に堆積させるようにしたもの。
請求項(抜粋):
コヒーレントな放射光、レーザー光またはコヒーレントな電子ビームのいずれかを複数の方向からそれぞれの位相を個別に変調しながら基板表面に照射し、上記基板表面上に結像する2次元干渉像を並行移動させて超微細パターンを描きながら、同時に原料分子または原料原子を上記基板表面に照射することにより、上記超微細パターンの位置に上記原料分子または原料原子が反応してなる材料を選択的に堆積させることを特徴とする2次元的に周期配列した超微細パターンの並列的製造方法。
IPC (4件):
H01L 21/027
, G03F 7/26
, H01L 21/28 301
, H01L 21/302
FI (4件):
H01L 21/30 528
, G03F 7/26
, H01L 21/28 301 L
, H01L 21/302 Z
引用特許:
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