特許

J-GLOBAL ID：200903004988772519

磁気抵抗素子及びその製造方法

発明者： 岩山 昌由 ,  梶山 健 ,  浅尾 吉昭 ,  細谷 啓司
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-056165
公開番号（公開出願番号）：特開2008-218829
出願日： 2007年03月06日
公開日（公表日）： 2008年09月18日
要約：

【課題】磁性層同士のショートを防ぐ。【解決手段】磁気抵抗素子は、磁化の方向が固定された第1の固定層13、第1の非磁性層14、磁化の方向が変化する自由層15、第2の非磁性層16、磁化の方向が固定された第2の固定層17が順に積層された積層体と、第2の非磁性層16上で第2の固定層17の側面に接しかつ第2の固定層17を囲むように設けられ、かつ絶縁体からなる第1の側壁19と、第1の非磁性層14上で自由層15及び第1の側壁19の側面に接しかつ自由層15及び第1の側壁19を囲むように設けられ、かつ絶縁体からなる第2の側壁20とを具備する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

磁化の方向が固定された第1の固定層、第1の非磁性層、磁化の方向が変化する自由層、第2の非磁性層、磁化の方向が固定された第2の固定層が順に積層された積層体と、 前記第2の非磁性層上で前記第2の固定層の側面に接しかつ前記第2の固定層を囲むように設けられ、かつ絶縁体からなる第1の側壁と、 前記第1の非磁性層上で前記自由層及び前記第1の側壁の側面に接しかつ前記自由層及び前記第1の側壁を囲むように設けられ、かつ絶縁体からなる第2の側壁と、 を具備することを特徴とする磁気抵抗素子。

IPC (4件)：

H01L 43/08 ,  H01L 43/12 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105

FI (3件)：

H01L43/08 Z ,  H01L43/12 ,  H01L27/10 447

Fターム (34件)：

4M119AA11 ,  4M119AA19 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119CC05 ,  4M119DD02 ,  4M119DD03 ,  4M119DD06 ,  4M119DD08 ,  4M119DD10 ,  4M119DD24 ,  4M119DD26 ,  4M119FF05 ,  4M119FF13 ,  4M119FF14 ,  4M119GG02 ,  4M119JJ13 ,  5F092AB06 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD25 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB31 ,  5F092BB35 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB55 ,  5F092BB81 ,  5F092BB82 ,  5F092BC42 ,  5F092BC43 ,  5F092BC46 ,  5F092FA10

引用特許：

出願人引用 (1件)

• マグネチックラムの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-188138   出願人：株式会社ハイニックスセミコンダクター

審査官引用 (1件)

• 磁気ランダムアクセスメモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-371735   出願人：株式会社東芝