特許
J-GLOBAL ID：200903026724144580
マグネチックラムの形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
荒船 博司
, 荒船 良男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-188138
公開番号（公開出願番号）：特開2004-214600
出願日： 2003年06月30日
公開日（公表日）： 2004年07月29日
要約：
【課題】MTJセルと連結層を同時にパターニングすることにより工程を単純化させ、感光膜パターンに代えて絶縁膜スペーサ及びハードマスク層をマスクにエッチング工程を行って金属性ポリマー等の発生を防ぎ、素子の特性及び信頼性を向上させること。【解決手段】MTJセルマスクを利用した写真エッチング工程でハードマスク層及び自由磁化層をエッチングして前記トンネル障壁層を露出させる段階、絶縁膜を異方性エッチングして前記ハードマスク層及び自由磁化層の側壁に絶縁膜スペーサを形成する段階、及び前記絶縁膜スペーサ及びハードマスク層をマスクに前記トンネル障壁層、固定磁化層及び連結層用金属層をエッチングし、MTJセル及び連結層を形成する段階を含むことを特徴とする。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
下部絶縁層を介して半導体基板に接続される連結層用金属層を形成する段階、前記連結層用金属層上に固定磁化層、トンネル障壁層及び自由磁化層を積層する段階、
自由磁化層の上部にハードマスク層を形成する段階、
MTJセルマスクを利用した写真エッチング工程で前記ハードマスク層及び自由磁化層をエッチングして前記トンネル障壁層を露出させる段階、
全体表面の上部に障壁層及び絶縁膜を順次形成する段階、
前記絶縁膜を異方性エッチングして前記ハードマスク層及び自由磁化層の側壁に絶縁膜スペーサを形成する段階、及び
前記絶縁膜スペーサ及びハードマスク層をマスクで前記トンネル障壁層、固定磁化層及び連結層用金属層をエッチングしてMTJセル及び連結層を形成する段階を含むことを特徴とするマグネチックラムの形成方法。
IPC (3件)：
H01L43/08
, H01L27/105
, H01L43/12
H01L43/08 Z
, H01L43/12
, H01L27/10 447
5F083FZ10
, 5F083PR07
, 5F083PR09
