特許
J-GLOBAL ID：200903024045969683

磁気ランダムアクセスメモリ

発明者：
福住 嘉晃

福住 嘉晃 について

, 
永瀬 俊彦

永瀬 俊彦 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-371735
公開番号（公開出願番号）：特開2006-179701
出願日： 2004年12月22日
公開日（公表日）： 2006年07月06日
要約：
【課題】素子のショートを抑制するとともに、磁気特性のばらつきを低減する。【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリは、複数の磁気抵抗素子がアレイ状に配置された磁気ランダムアクセスメモリであって、磁気抵抗素子10は、下部強磁性層11と、この下部強磁性層11上に設けられた非磁性金属層20と、この非磁性金属層20上に設けられた非磁性絶縁層12と、この非磁性絶縁層12上に設けられ、下部強磁性層11の平面形状よりも小さい平面形状を有する上部強磁性層13とを具備する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
複数の磁気抵抗素子がアレイ状に配置された磁気ランダムアクセスメモリであって、 前記磁気抵抗素子は、 下部強磁性層と、 前記下部強磁性層上に設けられた第1の非磁性金属層と、 前記第1の非磁性金属層上に設けられた第1の非磁性絶縁層と、 前記第1の非磁性絶縁層上に設けられ、前記下部強磁性層の平面形状よりも小さい平面形状を有する上部強磁性層と を具備することを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。
IPC (3件)：
H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 43/08
FI (2件)：
H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z
Fターム (12件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA06 ,  5F083JA02 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083PR04 ,  5F083PR06 ,  5F083PR07
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)

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