特許
J-GLOBAL ID：200903004994618750
スパッタリング装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石黒 健二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-036754
公開番号（公開出願番号）：特開2004-244687
出願日： 2003年02月14日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：
【課題】基材の垂直面はターゲット原子の衝突角度が浅いためにターゲット原子が被着しにくい。そして、垂直面に衝突するイオン粒子の数も少ないため、垂直面には粗雑な皮膜が生成されてしまう。【解決手段】スパッタリング装置は、電磁石9を用いて基材2の周辺まで磁力線を延ばして基材2の周辺の磁力を増加させる。すると、基材2の近傍に及んだ磁力線によって基材2の近傍の電子13が捕捉され、基材2の近傍における電離効果の増加に伴って基材2に衝突するイオン粒子7の数が増加する。これにより、垂直面2aに対しても衝突するイオン粒子7の数が増加し、垂直面2aに堆積したターゲット原子の皮膜緻密化効果が高められる。この結果、垂直面2aにおけるターゲット原子の衝突力不足を補うことができ、垂直面2aにも緻密で平滑な皮膜を生成できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
炉内に放電用ガスを注入し、前記炉内にてグロー放電を発生させ、プラズマ中のイオン粒子が陰極のターゲットに衝突することによって、前記ターゲットからターゲット原子がはじき出され、はじき出された前記ターゲット原子が前記炉内に設置された基材の表面に堆積することで前記基材の表面に皮膜を生成するスパッタリング装置において、
プラズマ中のイオン粒子を前記基材へ衝突させるために、前記基材に電圧を印加するバイアス電源と、
前記ターゲットから前記基材へ向けて磁力を与える電磁石とを備えることを特徴とするスパッタリング装置。
IPC (3件)：
C23C14/35
, C23C14/32
, C23C14/34
C23C14/35 Z
, C23C14/32 F
, C23C14/34 S
4K029BC00
, 4K029CA03
, 4K029CA05
, 4K029CA13
, 4K029DC27
, 4K029DC39
, 4K029DC43
