特許
J-GLOBAL ID：200903005022696316

表示装置及び表示装置の製造方法

発明者：
ゴサイン ダラム パル

ゴサイン ダラム パル について

, 
田中 勉

田中 勉 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-244883
公開番号（公開出願番号）：特開2009-075385
出願日： 2007年09月21日
公開日（公表日）： 2009年04月09日
要約：
【課題】同一の基板上にスイッチング素子と光センサ素子を形成する場合に、光センサ素子の感度が上げるために、活性層の膜厚を厚くすると、スイッチング素子(TFT)の特性に悪影響を及ぼしてしまう。【解決手段】複数の画素がマトリクス状に配置されるガラス基板5上に、画素のスイッチング素子となる薄膜トランジスタを構成するチャネル層25と、光センサ素子を構成する光電変換層35とを有する表示装置の構成として、外光が入射する側と反対側で光電変換層35に最も近接して対向配置される電極33の表面に光反射膜34を形成した。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
複数の画素がマトリクス状に配置される基板上に、前記画素のスイッチング素子を構成する第1の活性層と光センサ素子を構成する第2の活性層とを有し、 外光が入射する側と反対側で前記第2の活性層に最も近接して対向配置される電極の表面に光反射膜が形成されている ことを特徴とする表示装置。
IPC (4件)：
G02F 1/135 ,  H01L 31/10 ,  G02F 1/136 ,  H01L 29/786
FI (6件)：
G02F1/135 ,  H01L31/10 E ,  G02F1/1368 ,  H01L29/78 622 ,  H01L29/78 617K ,  H01L29/78 617L
Fターム (83件)：
2H092GA29 ,  2H092JA25 ,  2H092JA26 ,  2H092JA33 ,  2H092JA36 ,  2H092JA46 ,  2H092JB61 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA07 ,  2H092KA09 ,  2H092KA12 ,  2H092KA17 ,  2H092KA18 ,  2H092KB25 ,  2H092LA02 ,  2H092LA06 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA10 ,  2H092MA17 ,  2H092MA27 ,  2H092MA30 ,  2H092PA12 ,  5F049MA15 ,  5F049MB05 ,  5F049NA01 ,  5F049NB07 ,  5F049NB10 ,  5F049PA01 ,  5F049PA10 ,  5F049PA12 ,  5F049QA01 ,  5F049QA09 ,  5F049QA15 ,  5F049QA20 ,  5F049RA04 ,  5F049RA08 ,  5F049SE03 ,  5F049SE04 ,  5F049SE09 ,  5F049SS01 ,  5F049SZ16 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB09 ,  5F110CC08 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE22 ,  5F110EE42 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG05 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG19 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ18 ,  5F110HL07 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN12 ,  5F110NN23 ,  5F110NN34 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110NN78 ,  5F110PP03
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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