特許
J-GLOBAL ID：200903090721051727

電気光学装置及び電子機器

発明者：
小出 慎

小出 慎 について

, 
岡 裕子

岡 裕子 について

, 
藤田 伸

藤田 伸 について


出願人/特許権者：
エプソンイメージングデバイス株式会社

エプソンイメージングデバイス株式会社 について


代理人 (2件)： 上柳 雅誉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-054425
公開番号（公開出願番号）：特開2007-233027
出願日： 2006年03月01日
公開日（公表日）： 2007年09月13日
要約：
【課題】高感度の光センサを構成する。【解決手段】 絶縁基板23と、前記絶縁基板に形成されたポリシリコン層による半導体層と、前記絶縁基板と前記半導体層との間に形成されるゲート電極76と、によって構成されるスイッチング素子と、前記絶縁基板に形成されたポリシリコン層による半導体層によって構成されたPIN型ダイオード29と、前記ゲート電極と同層で前記PIN型ダイオードを構成する半導体層に対向して形成された反射部59と、を具備したことを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
絶縁基板と、 前記絶縁基板に形成されたポリシリコン層による半導体層と、前記絶縁基板と前記半導体層との間に形成されるゲート電極と、によって構成されるスイッチング素子と、 前記絶縁基板に形成されたポリシリコン層による半導体層によって構成されたPIN型ダイオードと、 前記ゲート電極と同層で前記PIN型ダイオードを構成する半導体層に対向して形成された反射部と、 を具備したことを特徴とする電気光学装置。
IPC (5件)：
G02F 1/136 ,  G02F 1/133 ,  G09F 9/30 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (5件)：
G02F1/1362 ,  G02F1/133 580 ,  G02F1/13357 ,  G09F9/30 338 ,  H01L29/78 612Z
Fターム (59件)：
2H091FA14Y ,  2H091FA23Z ,  2H091FA34Z ,  2H091FA41Z ,  2H091FD06 ,  2H091GA11 ,  2H091GA13 ,  2H091GA14 ,  2H091LA16 ,  2H091LA30 ,  2H092JA26 ,  2H092KA04 ,  2H092LA02 ,  2H092LA06 ,  2H092LA16 ,  2H092NA01 ,  2H092NA27 ,  2H092PA06 ,  2H092PA09 ,  2H092PA12 ,  2H092PA13 ,  2H093NA16 ,  2H093NA21 ,  2H093NC34 ,  2H093NC42 ,  2H093NC55 ,  2H093ND02 ,  2H093ND07 ,  2H093NE05 ,  2H093NE06 ,  5C094AA02 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA31 ,  5C094BA43 ,  5C094DB01 ,  5C094ED11 ,  5C094ED15 ,  5C094FB14 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110BB09 ,  5F110CC08 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD12 ,  5F110EE04 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL12 ,  5F110HM15 ,  5F110NN12 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP03
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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