特許

J-GLOBAL ID：200903005034914980

半導体装置の製造方法

発明者： 古川 幸彦
出願人/特許権者： 富士通カンタムデバイス株式会社
代理人 (1件)： 眞鍋 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-317667
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124195
出願日： 2001年10月16日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の製造方法に関し、エッチングレートの変動を防止して再現性の良好なエッチングを行う。【解決手段】 プラズマエッチングの開始から終了までの間に、エッチングレートの変動に影響を与える特定金属の露出段階が含まれ、且つ、エッチング初期には特定金属が露出していない表面に対してエッチングを行う際に、エッチングの開始前の前処理として、特定金属4をプラズマエッチングする。

請求項（抜粋）：

プラズマエッチングの開始から終了までの間に、エッチングレートの変動に影響を与える特定金属の露出段階が含まれ、且つ、エッチング初期には前記特定金属が露出していない表面に対してエッチングを行う工程を有する半導体装置の製造方法において、前記エッチングの開始前の前処理として、前記特定金属をプラズマエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/338 ,  H01L 21/768 ,  H01L 29/812

FI (3件)：

H01L 21/302 E ,  H01L 21/90 A ,  H01L 29/80 F

Fターム (55件)：

5F004AA01 ,  5F004BA04 ,  5F004BA13 ,  5F004BA14 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB25 ,  5F004EA21 ,  5F004EB01 ,  5F004FA08 ,  5F033GG02 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH23 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ23 ,  5F033KK07 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK13 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033MM18 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ27 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR22 ,  5F033XX00 ,  5F033XX03 ,  5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GK06 ,  5F102GL04 ,  5F102GM06 ,  5F102GN05 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GS01 ,  5F102GS04 ,  5F102GT03 ,  5F102GV05 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法および製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-331415   出願人：松下電子工業株式会社
• プラズマエッチング方法およびプラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-233357   出願人：三菱電機株式会社