ガスセンサ及びその製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-066108
公開番号（公開出願番号）：特開2004-271482
出願日： 2003年03月12日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：

【課題】新しい検出原理に基づく高い選択性を実現するガスセンサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】下記工程を含むことを特徴とするガスセンサ及びその製造方法であって、センサ素子として、層状構造を持つ無機化合物の層間に有機化合物を挿入した有機無機ハイブリッド材料を用いてなるガスセンサであって、抵抗値の変化によりガスを検知する作用を有することを特徴とする、VOCガスに対して、高い選択性を有するガスセンサ、及びその製造方法。【効果】従来の酸化物半導体センサの検出原理に依らない、新しい検出原理に基づくVOC対策用センサを提供するものとして有用である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

センサ素子として、層状構造を持つ無機化合物の層間に有機化合物を挿入した有機無機ハイブリッド材料を用いてなるガスセンサであって、抵抗値の変化によりガスを検知する作用を有することを特徴とするガスセンサ。

IPC (1件)：

G01N27/12

FI (3件)：

G01N27/12 B , G01N27/12 A , G01N27/12 C

Fターム (24件)：

2G046AA08 , 2G046AA16 , 2G046AA18 , 2G046AA24 , 2G046AA25 , 2G046BA01 , 2G046BA09 , 2G046BC05 , 2G046DC14 , 2G046EA02 , 2G046EA04 , 2G046EA09 , 2G046FA01 , 2G046FB02 , 2G046FC01 , 2G046FC06 , 2G046FE02 , 2G046FE12 , 2G046FE22 , 2G046FE23 , 2G046FE24 , 2G046FE35 , 2G046FE45 , 2G046FE46

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭62-110143
常温に近い温度で製造され及び動作する、化学的検出材料としての半導体材料の用途
公報種別：公表公報出願番号：特願2003-547926 出願人：ソニーインターナショナル(ヨーロッパ)ゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング, マックス-プランク-ゲゼルシャフトツゥア-フェデルゥンデルヴィッセンシャフテンエーフォー
ガスセンサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-249918 出願人：株式会社島津製作所

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