特許

J-GLOBAL ID：200903093622980634

常温に近い温度で製造され及び動作する、化学的検出材料としての半導体材料の用途

発明者： ベーズナール、イザベル ,  フォスマイアー、トビアス ,  安田 章夫 ,  ボークハート、マークゥ ,  シュレッヒト、ウーリッヒ
出願人/特許権者： ソニー インターナショナル (ヨーロッパ) ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ,  マックス-プランク-ゲゼルシャフト ツゥア- フェデルゥン デル ヴィッセンシャフテン エー フォー
代理人 (3件)： 小池 晃 ,  田村 榮一 ,  伊賀 誠司
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-547926
公開番号（公開出願番号）：特表2005-510711
出願日： 2002年11月26日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：

化学センサ装置は、基板(1)と、基板上に形成され、例えばV2O5等の半導性AxBy化合物からなる1次元ナノ粒子を有するセンサ媒質(3)と、例えば導電率等のセンサ媒質の物理的及び/又は化学的特性の変化を検出する検出手段(2)とを備える。多孔性のセンサ媒質を用いることにより、分析物が感応材料に速く到達でき、したがって、センサの応答が速くなる。センサの選択性及び感度は、1次元ナノ粒子材料に異なるドーパントをドープし、又はドーパント濃度を変更することにより調整できる。分析物、好ましくはアミンに対するセンサ装置の感度は、試料の相対湿度を少なくとも5%高めることにより向上させることができる。

請求項（抜粋）：

基板と、 上記基板上に形成され、実質的に、II-VI族半導体、III-V族半導体、金属酸化物半導体、金属硫化物半導体、金属リン化物半導体、金属窒化物、金属セレン化物半導体、金属テルル化物半導体からなるグループから選択される半導性AxBy化合物からなる1次元ナノ粒子を有するセンサ媒質と、 上記センサ媒質の物理的及び/又は化学的特性の変化を検出する検出手段とを備える化学センサ装置。

IPC (3件)：

G01N27/12 ,  G01N27/04 ,  G01N27/22

FI (5件)：

G01N27/12 C ,  G01N27/12 A ,  G01N27/12 B ,  G01N27/04 Z ,  G01N27/22 C

Fターム (63件)：

2G046AA05 ,  2G046AA10 ,  2G046AA11 ,  2G046AA22 ,  2G046AA23 ,  2G046BA01 ,  2G046BA09 ,  2G046BB02 ,  2G046BB04 ,  2G046BC03 ,  2G046BC05 ,  2G046BJ04 ,  2G046DC03 ,  2G046DC14 ,  2G046DC16 ,  2G046DC17 ,  2G046DC18 ,  2G046EA02 ,  2G046EA04 ,  2G046EA09 ,  2G046EB01 ,  2G046FB02 ,  2G046FE02 ,  2G046FE08 ,  2G046FE10 ,  2G046FE12 ,  2G046FE15 ,  2G046FE21 ,  2G046FE22 ,  2G046FE27 ,  2G046FE28 ,  2G046FE33 ,  2G046FE35 ,  2G046FE36 ,  2G046FE37 ,  2G046FE43 ,  2G046FE44 ,  2G046FE45 ,  2G046FE46 ,  2G060AA01 ,  2G060AB03 ,  2G060AB07 ,  2G060AB08 ,  2G060AB16 ,  2G060AB19 ,  2G060AE19 ,  2G060AF08 ,  2G060AF10 ,  2G060AG10 ,  2G060AG15 ,  2G060BA01 ,  2G060BA09 ,  2G060BB09 ,  2G060BB10 ,  2G060BD04 ,  2G060HC08 ,  2G060HC13 ,  2G060HC19 ,  2G060HC21 ,  2G060HC22 ,  2G060HD03 ,  2G060JA01 ,  2G060KA01

引用特許：

出願人引用 (7件)

• 針状多孔性センサー
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-064272   出願人：工業技術院長
• 抵抗ガス検出法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平7-528074   出願人：キャプチャーセンサーズアンドアナライザーズリミティド
• 特開昭62-192643
  
• 半導体ガスセンサーによる官能量測定電気回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-205034   出願人：加藤喜之
• 電子デバイス及び化学センサ、並びに微粒子構造体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-017830   出願人：ソニーインターナショナル(ヨーロッパ)ゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
• 化学センサ、化学センサの作製方法及び検体検出方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-379139   出願人：ソニーインターナショナル(ヨーロッパ)ゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
• 化学センサ及び化学センサの製造方法、並びに検体検出方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-200367   出願人：ソニーインターナショナル(ヨーロッパ)ゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング, マックスプランクゲッセルシャフトツルフォルデルングデルウィッセンシャフテンエー.ファウ.

審査官引用 (8件)

• 針状多孔性センサー
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-064272   出願人：工業技術院長
• 抵抗ガス検出法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平7-528074   出願人：キャプチャーセンサーズアンドアナライザーズリミティド
• 特開昭62-192643
  
• 特開昭62-192643
  
• 半導体ガスセンサーによる官能量測定電気回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-205034   出願人：加藤喜之
• 電子デバイス及び化学センサ、並びに微粒子構造体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-017830   出願人：ソニーインターナショナル(ヨーロッパ)ゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
• 化学センサ、化学センサの作製方法及び検体検出方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-379139   出願人：ソニーインターナショナル(ヨーロッパ)ゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
• 化学センサ及び化学センサの製造方法、並びに検体検出方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-200367   出願人：ソニーインターナショナル(ヨーロッパ)ゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング, マックスプランクゲッセルシャフトツルフォルデルングデルウィッセンシャフテンエー.ファウ.

引用文献：

出願人引用 (1件)

• Electrical Transport Through Individual Vanadium Pentoxide Nanowires.

審査官引用 (1件)

• Electrical Transport Through Individual Vanadium Pentoxide Nanowires.