特許
J-GLOBAL ID：200903005057339974

半導体装置の製造方法及び半導体装置

発明者：
村岡 浩一

村岡 浩一 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 松山 允之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-094150
公開番号（公開出願番号）：特開2003-297826
出願日： 2002年03月29日
公開日（公表日）： 2003年10月17日
要約：
【要約】【課題】 高誘電率絶縁膜/シリコン酸化膜/Si基板構造の界面酸化膜先作り工程において、高温酸化及び熱処理における界面荒れを抑制し、膜密度が高く面内均一性に優れた界面酸化膜を有する低消費、高速かつ高信頼MIS型半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 1nm以下の極薄シリコン酸化膜上にシリコン酸化膜よりも誘電率の高い絶縁膜を備えた積層ゲート絶縁膜を有する半導体装置を製造するに際し、前記シリコン酸化膜形成中の酸化温度が650°Cを超え、前記酸化雰囲気中の酸素及び水分圧の和は、133×1011.703-18114/TPa(Tは前記熱処理温度(K))以上であり、更に前記酸化雰囲気中にヘリウムガスを添加することで、膜厚増加を精密に制御しつつ界面欠陥を低減できる。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上にシリコン酸化膜を形成し、このシリコン酸化膜上にシリコン酸化膜よりも誘電率の高い絶縁膜を形成した積層ゲート絶縁膜を有する半導体装置を製造するに際し、前記シリコン酸化膜形成中の酸化温度が650°Cを超え、且つ前記酸化雰囲気中に窒素原子よりも原子半径の小さいHeまたはNeを添加することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/316 ,  H01L 29/78
FI (2件)：
H01L 21/316 M ,  H01L 29/78 301 G
Fターム (31件)：
5F058BA20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD06 ,  5F058BF14 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ10 ,  5F140AA00 ,  5F140AA19 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD06 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD15 ,  5F140BD20 ,  5F140BE07 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BG28 ,  5F140BG37 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK25 ,  5F140CA03 ,  5F140CB04 ,  5F140CC03 ,  5F140CC12
引用特許：
審査官引用 (7件)
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