特許
J-GLOBAL ID：200903076471574696

誘電体膜の形成方法

発明者：
桐生 秀樹

桐生 秀樹 について

, 
青山 真太郎

青山 真太郎 について

, 
高橋 毅

高橋 毅 について

, 
神力 博

神力 博 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-095818
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284344
出願日： 2000年03月30日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：
【要約】【課題】 薄い絶縁物の分子層で覆われたSi基板表面にCVD法により誘電体膜を形成する際のインキュベーション時間をなくし、得られる誘電体膜の均一性を向上させると同時に、誘電体膜の膜厚方向の組成を制御する。【解決手段】 前記絶縁物の分子層に、前記誘電体膜を構成する金属元素の気相分子化合物を一様に吸着させ、これを酸化させて誘電体分子層を形成した後、前記誘電体膜のCVDプロセスを開始する。
請求項（抜粋）：
Si基板上への誘電体膜の形成方法において、前記Si基板の表面を露出する工程と、前記露出されたSi基板表面に、絶縁性層を形成する工程と、前記絶縁性層を形成されたSi基板表面に、少なくとも1回、誘電体材料を構成する金属元素の気相分子化合物を実質的に一様に吸着させ、前記Si基板表面を前記気相分子化合物により覆う工程と、前記Si基板表面を覆う前記気相分子化合物を加水分解させ、前記Si基板表面に前記金属元素を含む誘電体材料の分子層を形成する工程とを含むことを特徴とする誘電体膜の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/316 ,  C23C 16/40 ,  H01L 29/78
FI (3件)：
H01L 21/316 B ,  C23C 16/40 ,  H01L 29/78 301 G
Fターム (33件)：
4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030BA10 ,  4K030BA17 ,  4K030BA22 ,  4K030BA29 ,  4K030BA42 ,  4K030BA43 ,  4K030BB13 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030LA01 ,  4K030LA02 ,  5F040DA01 ,  5F040DC01 ,  5F040EC07 ,  5F040ED01 ,  5F040ED03 ,  5F040EF02 ,  5F040FA03 ,  5F058BA20 ,  5F058BC20 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BF04 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF80 ,  5F058BJ01
引用特許：
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM