特許

J-GLOBAL ID：200903005115211053

ダイヤモンド積層基板、電気化学素子およびその製造方法

発明者： 蒲生 秀典 ,  安藤 寿浩
出願人/特許権者： 凸版印刷株式会社 ,  独立行政法人物質・材料研究機構
代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-198089
公開番号（公開出願番号）：特開2005-005659
出願日： 2003年06月13日
公開日（公表日）： 2005年01月06日
要約：

【課題】特に素子分離を要する各種電極ならびにセンサへの応用、あるいは半導体およびその部材に適した、すなわち絶縁性の下地に高品質かつ導電性ダイヤモンド層を具備するダイヤモンド積層基板、電気化学素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】単結晶シリコン基板11上に、絶縁性ダイヤモンド層12、導電性ダイヤモンド層13が、順次積層されてなるダイヤモンド積層基板を用いる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

少なくとも表面に単結晶シリコン層を有する基板上に、絶縁性ダイヤモンド層、導電性ダイヤモンド層が、順次積層されてなることを特徴とするダイヤモンド積層基板。

IPC (2件)：

H01L21/205 ,  C30B29/04

FI (2件)：

H01L21/205 ,  C30B29/04 E

Fターム (18件)：

4G077AA03 ,  4G077BA03 ,  4G077DB19 ,  4G077EB01 ,  4G077ED06 ,  4G077EF01 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TA06 ,  4G077TB07 ,  4G077TC02 ,  4G077TC13 ,  5F045AA08 ,  5F045AB07 ,  5F045AD11 ,  5F045AE23 ,  5F045AF03 ,  5F045BB16

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-312982
  
• ダイヤモンドヘテロ接合整流素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-315611   出願人：株式会社神戸製鋼所, コウベ・スチール・ユーエスエイ・インコーポレイテッド
• 被検化合物の検出方法、およびそれに用いるダイヤモンド電極および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-315660   出願人：藤嶋昭