半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-190303
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040803
出願日： 1997年07月15日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：

【要約】【課題】ゲート絶縁膜の信頼性を高めることができ、素子の信頼性の向上をはかる。【解決手段】半導体基板1上にシリコン及び酸素又は窒素の少なくとも一方を含むゲート絶縁膜3を形成する工程と、このゲート絶縁膜3中に最大元素濃度が1020個/cm3 以上で1021個/cm3 以下となるようにハロゲン元素を導入する工程とを有する。

請求項（抜粋）：

ゲート絶縁膜がシリコン、酸素又は窒素の少なくとも一方及びハロゲン元素を含んで構成され、前記ゲート絶縁膜中のハロゲン元素の最大元素濃度が1020個/cm3 以上で1021個/cm3 以下であることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/78 , H01L 27/115 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 29/78 301 G , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (13件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-180671 出願人：株式会社日立製作所
特開平4-192363
特開平2-159069

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